基于AlN絕緣的多晶硅高溫壓力傳感器設(shè)計(jì)
發(fā)布時(shí)間:2013/9/5 17:08:50
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【基于AlN絕緣的多晶硅高溫壓力傳感器設(shè)計(jì)】
探討了一種多晶硅高溫壓力傳感器的設(shè)計(jì)方法,采用AlN作硅襯底和多晶硅力敏電阻條之間的電絕緣層,由于無(wú)p-n結(jié),力敏電阻無(wú)反向漏電,使制作的壓力傳感器特性好。利用多晶硅材料在高溫條件下能夠表現(xiàn)出良好的壓阻特性,考慮其縱橫向壓阻效應(yīng)的不同,作了理論分析,在此基礎(chǔ)上制作力敏電阻條。利用有限元分析方法,借助MARC軟件,模擬了傳感器承壓彈性膜的應(yīng)力場(chǎng)分布,確定了多晶硅力敏電阻條的位置和排列方式。并且施加10kPa壓力時(shí),模擬了不同膜厚t與對(duì)應(yīng)的最大應(yīng)力?11的曲線;模擬了11方向主應(yīng)力COMP11邊緣中點(diǎn)應(yīng)力為一特定值時(shí)所需壓力PN與膜厚t的關(guān)系曲線。
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