富士通半導體推出基于2.7V-5.5V的寬電壓FRAM產(chǎn)品

時間:2012-10-16

來源:富士通微電子(上海)有限公司

導語:富士通半導體推出其V系列的又一款新產(chǎn)品MB85RC256V。

上海,2012年10月16日 –富士通半導體(上海)有限公司今日宣布,推出其V系列的又一款新產(chǎn)品MB85RC256V。至今為止,富士通V系列FRAM產(chǎn)品已經(jīng)涵蓋了4Kbit,16Kbit,64Kbit,256Kbit等容量。MB85RC256V是富士通首款可在2.7V-5.5V電壓范圍內(nèi)工作的FRAM產(chǎn)品,為當今對元器件電壓范圍要求高的領域提供了設計的方便。作為全球領先的非易失性鐵電隨機存取存儲器FRAM供應商,富士通后續(xù)還將根據(jù)市場需求推出更大容量的產(chǎn)品。

圖片:MB85RC256V芯片圖

FRAM產(chǎn)品結合了ROM的非易性數(shù)據(jù)存儲性能和RAM的優(yōu)勢,具有幾乎無限次的讀寫次數(shù)、高速讀寫周期和低功耗特點。富士通FRAM產(chǎn)品線具有多種接口和容量,包括工業(yè)標準的串行和并行接口;富士通FRAM產(chǎn)品具備了高速讀寫,高耐久性,低功耗三大特點,使其不同于其他非易失性存儲器。FRAM產(chǎn)品廣泛的應用于儀器儀表,工業(yè)控制,汽車電子,金融POS等各種先進領域,對于這些領域來說FRAM的高速讀寫,高耐久性,低功耗等特性非常重要。

憑借公司內(nèi)部一體化的開發(fā)和制造流程,富士通半導體可以更加優(yōu)化設計和工廠間的密切合作,這為富士通向客戶穩(wěn)定的提供高質量產(chǎn)品打下了基礎。

富士通FRAM現(xiàn)有產(chǎn)品列表

MB85RC256V重要參數(shù)

•256Kb 存儲容量,采用32kx 8位結構

•1012次的讀寫次數(shù)

•數(shù)據(jù)保存10年(+85°C)

•2.7V-5.5V工作電壓范圍

串行外設接口-I2C

•4.5V-5.5V,工作頻率達1MHz

•2.7V-4.5V,工作頻率達400KHz

溫度及封裝配置

•-40°C至 +85°C的工業(yè)溫度范圍

•支持3.9mmx5.05mm和5.30mmx5.24mm兩種尺寸的SOP-8封裝

供貨時間

從2012年8月中旬起提供樣品,2012年10月中旬起可以接受批量訂貨。

關于富士通半導體(上海)有限公司

富士通半導體(上海)有限公司是富士通在中國的半導體業(yè)務總部,于2003年8月成立,在北京、深圳、大連、廈門、西安、青島及武漢等地均設有分公司,負責統(tǒng)籌富士通在中國半導體的銷售、市場及現(xiàn)場技術支持服務。

富士通半導體(上海)有限公司的產(chǎn)品包括專用集成電路(ASIC)、單片機(MCU)、專用標準產(chǎn)品(ASSP)/片上系統(tǒng)(SoC)和系統(tǒng)存儲芯片,它們是以獨立產(chǎn)品及配套解決方案的形式提供給客戶,并應用于廣泛領域。在技術支持方面,分布于上海、香港及成都的IC設計中心和解決方案設計中心,通過與客戶、設計伙伴、研發(fā)資源及其他零部件供應商的溝通、協(xié)調,共同開發(fā)完整的解決方案,從而形成一個包括中國在內(nèi)的完整的亞太地區(qū)設計、開發(fā)及技術支持網(wǎng)絡。欲了解更多信息,請訪問網(wǎng)站:http://cn.fujitsu.com/fss。

文中提及的公司名稱和產(chǎn)品名稱是其所有者的商標或者注冊商標。該新聞稿中的信息在發(fā)布時準確無誤,可能隨時發(fā)生變化,恕不先行通知。

 

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