富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵(GaN)功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計(jì)劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對(duì)實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)做出重大貢獻(xiàn)。

與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計(jì)劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化，從而可以通過硅晶圓直徑的增加，來實(shí)現(xiàn)低成本生產(chǎn)。按照此目標(biāo)，富士通半導(dǎo)體自2009年起就在開發(fā)批量生產(chǎn)技術(shù)。此外，富士通半導(dǎo)體自2011年起開始向特定電源相關(guān)合作伙伴提供GaN功率器件樣品，并對(duì)之進(jìn)行優(yōu)化，以便應(yīng)用在電源單元中。

最近，富士通半導(dǎo)體開始與富士通研究所(FujitsuLaboratoriesLimited)合作進(jìn)行技術(shù)開發(fā)，包括開發(fā)工藝技術(shù)來增加硅基板上的高質(zhì)量GaN晶體數(shù)量；開發(fā)器件技術(shù)，如優(yōu)化電極的設(shè)計(jì)，來控制開關(guān)期間導(dǎo)通電阻的上升；以及設(shè)計(jì)電源單元電路布局來支持基于GaN的器件的高速開關(guān)。這些技術(shù)開發(fā)結(jié)果使富士通半導(dǎo)體在使用GaN功率器件的功率因數(shù)校正電路中成功實(shí)現(xiàn)了高于傳統(tǒng)硅器件性能的轉(zhuǎn)換效率。富士通半導(dǎo)體還設(shè)計(jì)了一種具有上述功率因數(shù)校正電路的服務(wù)器電源單元樣品，并成功實(shí)現(xiàn)了2.5kW的輸出功率。

將該項(xiàng)技術(shù)的開發(fā)成功也意味著富士通半導(dǎo)體鋪平了其GaN功率器件用于高壓、大電流應(yīng)用的道路。

富士通半導(dǎo)體最近在其會(huì)津若松工廠建成了一條6英寸晶圓大規(guī)模生產(chǎn)線，并將在2013年下半年開始GaN功率器件的滿負(fù)荷生產(chǎn)。今后，通過提供針對(duì)客戶應(yīng)用而優(yōu)化的功率器件以及電路設(shè)計(jì)技術(shù)支持，富士通半導(dǎo)體將支持用途廣泛的低損耗、高集成的電源單元的開發(fā)。富士通半導(dǎo)體希望其GaN功率器件銷售收入在2015財(cái)年達(dá)到約100億日元。

富士通半導(dǎo)體將在2012年11月14-16日在太平洋橫濱(PacificoYokohama)會(huì)展中心舉行的2012嵌入式技術(shù)展(EmbeddedTechnology2012)上展出其GaN功率器件。

關(guān)于富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司

富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司是富士通在中國(guó)的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總部，于2003年8月成立，在北京、深圳、大連、廈門、西安、青島和武漢等地均設(shè)有分公司，負(fù)責(zé)統(tǒng)籌富士通在中國(guó)半導(dǎo)體的銷售、市場(chǎng)及現(xiàn)場(chǎng)技術(shù)支持服務(wù)。

富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司的產(chǎn)品包括專用集成電路（ASIC）、單片機(jī)（MCU）、專用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品（ASSP）/片上系統(tǒng)（SoC）和系統(tǒng)存儲(chǔ)芯片，它們是以獨(dú)立產(chǎn)品及配套解決方案的形式提供給客戶，并應(yīng)用于廣泛領(lǐng)域。在技術(shù)支持方面，分布于上海、香港及成都的IC設(shè)計(jì)中心和解決方案設(shè)計(jì)中心，通過與客戶、設(shè)計(jì)伙伴、研發(fā)資源及其他零部件供應(yīng)商的溝通、協(xié)調(diào)，共同開發(fā)完整的解決方案，從而形成一個(gè)包括中國(guó)在內(nèi)的完整的亞太地區(qū)設(shè)計(jì)、開發(fā)及技術(shù)支持網(wǎng)絡(luò)。欲了解更多信息，請(qǐng)?jiān)L問網(wǎng)站：http://cn.fujitsu.com/fss。

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