賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 11 月29 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封裝的CSP規(guī)格尺寸，具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET®功率MOSFET。

今天發(fā)布的器件將用于智能手機(jī)、平板電腦和移動(dòng)計(jì)算設(shè)備等便攜式電子產(chǎn)品的電源管理應(yīng)用中的電池或負(fù)載開關(guān)。MOSFET的外形緊湊小巧，可節(jié)省PCB空間并實(shí)現(xiàn)超薄的外形，使便攜式電子產(chǎn)品變得更薄、更輕，低導(dǎo)通電阻可實(shí)現(xiàn)更低的傳導(dǎo)損耗，以減少功耗并延長(zhǎng)電池壽命。器件的低導(dǎo)通電阻還可以降低負(fù)載開關(guān)上的壓降，避免討厭的欠壓鎖定。

這些MOSFET是首批采用這種規(guī)格尺寸的產(chǎn)品，采用超高密度技術(shù)制造，使用自對(duì)齊工藝技術(shù)，將10億個(gè)晶體管單元裝到1平方英寸的硅片里。通過MICRO FOOT的無封裝CSP技術(shù)，使器件在給定的外形面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)了盡可能低的導(dǎo)通電阻。

12V Si8806DB是P溝道器件，在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻為43m?。如需要20V電壓，Si8812DB提供59m?的最大導(dǎo)通電阻。N溝道器件適用于DC/DC升壓轉(zhuǎn)化器等高速開關(guān)應(yīng)用，開啟/關(guān)斷時(shí)間小于100ns。

20V P溝道Si8817DB和Si8489EDB適用于降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。更小的0.8mm x 0.8mmx 0.4mm Si8817DB在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻為76m?，可用于空間比導(dǎo)通電阻更重要的應(yīng)用場(chǎng)合。1mm x 1mm的Si8489EDB在4.5V的導(dǎo)通電阻更低，只有54m?，適用于導(dǎo)通電阻更重要的應(yīng)用。

Si8489EDB是首個(gè)1mm x 1mm規(guī)格尺寸的P溝道Gen III器件，典型ESD保護(hù)達(dá)2500V。此外，Si8817DB可以在1.5V電壓下導(dǎo)通，可以搭配手持設(shè)備中常見的更低電壓柵極驅(qū)動(dòng)和更低的總線電壓一起工作，節(jié)省電平轉(zhuǎn)換電路的空間和成本。

器件符合RoHS指令2011/65/EU和JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定。

Si8806DB、Si8812DB、Si8817DB和Si8489EDB是MICRO FOOT系列的最新成員，可以在以下網(wǎng)址找到相關(guān)信息http://www.vishay.com/mosfets/micro-foot-package/。

器件規(guī)格表：

新款TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。

VISHAY簡(jiǎn)介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富1,000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場(chǎng)中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息，敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。

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