ALD技術顯著提升發(fā)光器件效率簡析

時間：2013-04-11

來源：網(wǎng)絡轉(zhuǎn)載

導語：由于其沉積參數(shù)的高度可控性(厚度，成份和結構)，優(yōu)異的沉積均勻性和一致性使得其在微電子領域獲得了廣泛的應用。

日前，中國科學院微電子研究所將先進的原子層沉積技術應用于高光效半導體發(fā)光器件的研究取得顯著進展。

上世紀八十年代，原子層沉積(AtomicLayerDeposition，ALD)最初由芬蘭科學家提出并應用于平板顯示器件中Al2O3絕緣膜的沉積。2007年英特爾公司將原子層沉積技術引入45納米節(jié)點及以后的集成電路制造工藝，由于其沉積參數(shù)的高度可控性(厚度，成份和結構)，優(yōu)異的沉積均勻性和一致性使得其在微電子領域獲得了廣泛的應用。

中國科學院微電子所四室劉洪剛研究員針對工業(yè)界常用的電子束方法制備分布式布拉格反射鏡(DBR)存在厚度不均勻、生產(chǎn)效率低等缺點，提出采用原子層沉積技術研制高性能分布式布拉格反射鏡(DBR)的設想以提升半導體發(fā)光器件的光提取效率，他帶領的科研團隊通過開展ALD-DBR的材料篩選、結構設計、沉積工藝、光學測量等方面的系統(tǒng)研究，研制出適于ALD大規(guī)模生產(chǎn)的Al2O3/TiO2新型DBR結構并成功應用于高光效氮化鎵基發(fā)光二極管(GaNLED)的制造，使GaNLED的光輸出功率提高43%以上。

該科研團隊的研究成果已經(jīng)在國際專業(yè)期刊APEX上發(fā)表(AppliedPhysicsExpress6(2013)022101)，成為當月下載量最多的20篇論文之一。該成果受到國際與國內(nèi)同行的廣泛關注，先后被SemiconductorToday、LEDProfessional、LEDs科技等專業(yè)雜志與網(wǎng)站的專門報道，同時芬蘭ALD制造商BENEQ公司與該團隊達成了合作開發(fā)該技術的意向。

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