南車株洲所8英寸IGBT生產(chǎn)線項目將建成

時間:2013-05-31

來源:網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載

導語:IGBT是一種新型功率半導體器件,具有驅(qū)動功率小、開關(guān)損耗低、工作頻率高、電流密度大等優(yōu)點,廣泛應(yīng)用于軌道交通、航空航天、新能源電動汽車、高壓變頻及電力傳輸?shù)戎匾袠I(yè)和領(lǐng)域。

長期以來,全球IGBT技術(shù),尤其是6英寸以上大功率IGBT關(guān)鍵技術(shù)及產(chǎn)品,被日本三菱、東芝、瑞士ABB、德國英飛凌等少數(shù)大公司壟斷。但是這一技術(shù)壟斷將會被打破。近日,南車株洲電力機車研究所有限公司傳來消息,8英寸IGBT生產(chǎn)線項目年內(nèi)就可建成投產(chǎn)。

“南車株洲所”憑借雄厚的技術(shù)實力,成功攻克技術(shù)難關(guān),相繼研制出6英寸、8英寸IGBT產(chǎn)品,形成了設(shè)計、研制、系統(tǒng)應(yīng)用等成套技術(shù),在打破國外技術(shù)壟斷的同時,填補了國內(nèi)在這一高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的空白。

                    南車株洲所8英寸IGBT生產(chǎn)線項目將建成

2011年5月,“南車株洲所”8英寸IGBT生產(chǎn)線項目奠基建設(shè),這是全國首條該尺寸IGBT生產(chǎn)線。建成投產(chǎn)后,將形成年產(chǎn)12萬片8英對lGBT芯片和100萬只大功率新型半導體器件生產(chǎn)能力,年產(chǎn)值超20億元,成為我國規(guī)模最大的IGBT產(chǎn)業(yè)基地。

目前,項目廠房建設(shè)、基礎(chǔ)工程、工藝設(shè)備等方面,正在快速推進。

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