中国有嘻哈第二季,决战江桥电视剧全集免费观看超清,americaneagle

AMD宣布與研發(fā)伙伴IBM共同合作，運(yùn)用超紫外線(xiàn)微影技術(shù)，針對(duì)整個(gè)芯片中最關(guān)鍵的第一層金屬鏈接進(jìn)行測(cè)試，并成功生產(chǎn)出作業(yè)測(cè)試芯片，透過(guò)全面性的超紫外線(xiàn)微影技術(shù)，成功整合至大小為22mm＊33mm的45納米節(jié)點(diǎn)測(cè)試芯片制程。據(jù)BrunoLaFontaine博士表示，AMD的超紫外線(xiàn)微影技術(shù)在未來(lái)數(shù)年，在半導(dǎo)體制程上的應(yīng)用具十足的潛力，業(yè)界廠(chǎng)商因芯片體積縮小而受惠。雖然在業(yè)界可運(yùn)用超紫外線(xiàn)微影技術(shù)量產(chǎn)之前，仍有許多挑戰(zhàn)需要克服，但是AMD已經(jīng)證明該技術(shù)可以成功地與半導(dǎo)體晶圓制程結(jié)合，完整產(chǎn)出芯片上的第一層金屬互連層。 IBM結(jié)構(gòu)研究經(jīng)理DavidMedeiros表示，微影技術(shù)如同微處理器一樣重，如何將含有數(shù)百萬(wàn)個(gè)電晶體集成芯片的高度復(fù)雜設(shè)計(jì)，移轉(zhuǎn)到晶圓片上的技術(shù)，將是未來(lái)的重大挑戰(zhàn)，而晶圓片上的多重層級(jí)，是建立一個(gè)芯片的必要條件。 DavidMederios進(jìn)一步指出，隨著芯片工程師持續(xù)在芯片上加入嶄新功能，同時(shí)增強(qiáng)芯片的效能表現(xiàn)，讓體積愈來(lái)愈小的電晶體可在特定的區(qū)域中放置更多的電晶體，要如何制造小型電晶體與連接電晶體的金屬線(xiàn)，與用來(lái)投射芯片設(shè)計(jì)在晶圓片上的光波長(zhǎng)度有直接關(guān)系，超紫外線(xiàn)光刻顯影技術(shù)采用13.5奈米的波長(zhǎng)，大幅縮短現(xiàn)今的193納米微影技術(shù)，持續(xù)推動(dòng)傳統(tǒng)芯片功能與體積間的可調(diào)整性。現(xiàn)時(shí)，位于德國(guó)德勒斯登的AMD36號(hào)廠(chǎng)，首先采用193nm浸潤(rùn)式微影量產(chǎn)技術(shù)，進(jìn)行芯片測(cè)試，再將測(cè)試芯片運(yùn)送至位于紐約州阿爾巴尼的IBM奈米科學(xué)與工程學(xué)院之研發(fā)中心，AMD、IBM與其他合作伙伴運(yùn)用由ASML、IBM、與CNSE合作建置的ASML超紫外線(xiàn)微影掃描器，于德國(guó)制造的電晶體間進(jìn)行第一層金屬相連物的圖樣模型。在完成圖樣成型、蝕刻與金屬物沉淀等制程后，AMD對(duì)超紫外線(xiàn)微影設(shè)備架構(gòu)進(jìn)行電子測(cè)試，發(fā)現(xiàn)電晶體的特征與僅使用193nm浸潤(rùn)式微影量產(chǎn)技術(shù)進(jìn)行的芯片測(cè)試結(jié)果相符。這些晶圓片將再透過(guò)標(biāo)準(zhǔn)的晶圓制程，增加額外的金屬互連層，進(jìn)而使大型的記憶數(shù)組亦可進(jìn)行測(cè)試排程。驗(yàn)證超紫外線(xiàn)顯影技術(shù)量產(chǎn)可行性的下一步驟，是將此技術(shù)從金屬互聯(lián)物層的應(yīng)用，擴(kuò)展到所有層級(jí)，以證明超紫外線(xiàn)微影技術(shù)可制造一個(gè)完整的作業(yè)微處理器，預(yù)期國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線(xiàn)圖將可望于2016年達(dá)到22nm半間距節(jié)點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)，因此超紫外線(xiàn)微影技術(shù)必須在2016年前達(dá)到可量產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)。