新型電力電子器件聯(lián)合研發(fā)中心第三次學術委員會會議在株洲召開，會議由學術委員會主任吳德馨院士主持，鄭有炓院士、劉友梅院士，公司執(zhí)行董事兼總經(jīng)理丁榮軍參加會議并就新型電力電子器件(主要指以碳化硅為代表的寬帶隙半導體器件)的研發(fā)、應用需求、產(chǎn)業(yè)化前景進行了深度探討與交流。
會上，聯(lián)合研發(fā)中心主任劉新宇對2012年的工作進行了匯報。過去一年，聯(lián)合研發(fā)中心在SiC器件研究方面取得了較好的成績：確立與Si工藝兼容的工藝路線，基于Si基標準工藝平臺，開發(fā)SiC工藝技術;成功開發(fā)1200V/5A、1200V/20ASiCSBD器件樣品和1200V/480A模塊樣品;全年共申請專利9項，在國內、國際核心期刊上發(fā)表6篇文章。
南車時代電氣副總經(jīng)理劉可安、西安理工大學教授陳治明在會上分別從功率半導體器件應用和碳化硅器件研究兩方面作學術報告。與會專家就學術報告內容各抒己見，其中，劉友梅院士提出，新型電力電子器件研發(fā)應注重全壽命周期和可靠性分析研究，從而使器件的研發(fā)與應用能夠緊密結合。
吳德馨院士高度肯定了聯(lián)合研發(fā)中心過去一年所做的工作，贊揚了研發(fā)中心器件研究與應用開發(fā)并行的工作形式。同時也指出，目前國內碳化硅器件技術與國際先進水平相比仍然存在一定差距，希望研發(fā)中心創(chuàng)新思想，解決器件應用中存在的一些問題，提升技術實力。中國科學院高技術局李才興出席會議并肯定聯(lián)合研發(fā)中心的創(chuàng)新體制，希望聯(lián)合研發(fā)中心能成為科研與社會經(jīng)濟相結合的典范，有效推動我國新型電力電子器件的產(chǎn)業(yè)化進程。
新型電力電子器件聯(lián)合研發(fā)中心是公司與中國科學院微電子研究所于2011年共同成立，主要開展以碳化硅為代表的寬帶隙電力電子器件研究，滿足碳化硅電力電子器件的研制需求。該中心的成立，明確了公司開展SiC電力電子器件研究的新方向。
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