賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 7 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴(kuò)充其TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiS443DN在-10V和-4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下具有業(yè)內(nèi)較低的導(dǎo)通電阻，是首款-40V P溝道Gen III器件；SiSS27DN是首款采用PowerPAK 1212-8S封裝的-30V MOSFET。
SiS443DN和SiSS27DN適用于24V、19V和12V負(fù)載開關(guān)，以及移動(dòng)計(jì)算、智能手機(jī)和平板電腦中電源管理等各種應(yīng)用的適配器和電池開關(guān)。這些器件的低導(dǎo)通電阻在業(yè)內(nèi)領(lǐng)先，使設(shè)計(jì)者能夠在電路里實(shí)現(xiàn)更低的壓降，更有效地使用能源，并延長(zhǎng)電池使用時(shí)間。
在需要更高電壓的應(yīng)用里，3.3mm x 3.3mm PowerPAK 1212-8封裝的-40V SiS443DN提供11.7mΩ(-10V)和16mΩ(-4.5V)的最高導(dǎo)通電阻。在導(dǎo)通電阻非常重要的場(chǎng)合，SiSS27DN提供了極低的5.6mΩ(-10V)和9mΩ (-4.5V)導(dǎo)通電阻，采用高度0.75mm的PowerPAK 1212-8S封裝。
SiS443DN和SiSS27DN進(jìn)行了100%的Rg和UIS測(cè)試。MOSFET符合JEDEC JS709A的無(wú)鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2011/65/EU。
器件規(guī)格表：
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型號(hào) |
SiSS27DN |
SiS443DN |
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VDS (V) |
-30 |
-40 |
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VGS (V) |
20 |
20 |
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RDS(ON) (m?) @ |
10 V |
5.6 |
11.7 |
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6 V |
7 |
- |
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4.5 V |
9 |
16 |
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封裝 |
PowerPAK 1212-8S |
PowerPAK 1212-8 |
新款P溝道MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十四周到十六周。
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