微電子技術(shù)引發(fā)“元器件熱潮”

時(shí)間:2013-08-13

來源:網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載

導(dǎo)語(yǔ):我國(guó)科學(xué)家首次研制出新型微電子半浮柵晶體管,這標(biāo)志著我國(guó)在全球尖端集成電路技術(shù)創(chuàng)新鏈中獲得了重大突破,再加上年內(nèi)國(guó)際巨頭的爭(zhēng)相投入,半導(dǎo)體投資熱情不減,預(yù)計(jì)新一波的“元器件熱”將順勢(shì)而出。

基板事業(yè)部是今年增長(zhǎng)主力貢獻(xiàn):基板事業(yè)部包括BGA(基帶芯片、處理器)、LGA(射頻模塊)、MEMS/sensorIC、smartIC等高端封裝產(chǎn)品,是公司今年及未來增長(zhǎng)主力。政策層面上國(guó)家大力扶持國(guó)內(nèi)封測(cè),鼓勵(lì)國(guó)內(nèi)IC設(shè)計(jì)采用本土封測(cè),公司自身技術(shù)也向高端制程升級(jí),且較臺(tái)灣大廠有價(jià)格優(yōu)勢(shì),展訊、海思、聯(lián)芯、銳迪科、瑞芯微等國(guó)內(nèi)IC大廠已經(jīng)將訂單轉(zhuǎn)向長(zhǎng)電,產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的趨勢(shì)明確。本質(zhì)上公司是受益于中低端移動(dòng)終端爆發(fā),憑借向高端封裝制程升級(jí),伴隨國(guó)內(nèi)IC設(shè)計(jì)廠商崛起而成長(zhǎng)。其基板事業(yè)部去年初營(yíng)收僅800萬(wàn)/月,當(dāng)前成長(zhǎng)為7000萬(wàn)/月,增長(zhǎng)迅猛。預(yù)計(jì)此塊業(yè)務(wù)今年?duì)I收貢獻(xiàn)7-8億,明年12億左右。

攝像頭模組已經(jīng)量產(chǎn),前景可觀:2011年與東芝合資成立新晟電子(長(zhǎng)電70%,東芝30%),結(jié)合了長(zhǎng)電在鏡頭封裝,與東芝在圖像傳感器、光學(xué)測(cè)試方面的優(yōu)勢(shì)。攝像頭模組市場(chǎng)前景廣闊,僅手機(jī)用攝像頭2013年預(yù)計(jì)達(dá)到14億顆,至2015年達(dá)到16億顆,另外,車裝攝像頭也是一個(gè)巨大的下游市場(chǎng)。公司當(dāng)前產(chǎn)能80-100萬(wàn)/月,不斷擴(kuò)產(chǎn)中。預(yù)計(jì)今年?duì)I收1-2億,明年5億左右。

盈利預(yù)測(cè)及投資評(píng)級(jí):

受益于中低端移動(dòng)終端爆發(fā),憑借向高端封裝制程升級(jí),伴隨國(guó)內(nèi)IC設(shè)計(jì)廠商崛起而成長(zhǎng),公司長(zhǎng)期成長(zhǎng)邏輯確立。BGA是今年主要增長(zhǎng)點(diǎn),F(xiàn)CBGA是未來方向,bumping+FC一條龍是公司優(yōu)勢(shì)。今年將體現(xiàn)出較大的業(yè)績(jī)彈性,由于搬廠、高端產(chǎn)能逐步釋放以及季節(jié)性因素,預(yù)計(jì)主要集中在下半年爆發(fā)。維持公司2013-2015年EPS分別為0.15、0.28、0.38元的盈利預(yù)測(cè),重申“增持”評(píng)級(jí)。

復(fù)旦復(fù)華:公司是復(fù)旦大學(xué)控股的上市公司,依托復(fù)旦大學(xué)雄厚的科研、技術(shù)、人才優(yōu)勢(shì),成功確立了以軟件開發(fā)、生物醫(yī)藥、園區(qū)房產(chǎn)為核心的科技產(chǎn)業(yè)體系,目前已擁有中國(guó)重要的對(duì)日軟件出口平臺(tái),具有科技創(chuàng)新能力的藥品研發(fā)、生產(chǎn)、營(yíng)銷基地,以及廣納國(guó)內(nèi)外高新技術(shù)企業(yè)的國(guó)家級(jí)高新技術(shù)園區(qū)。此次復(fù)旦大學(xué)教授在微電子上的突出成就雖然跟公司沒有直接關(guān)系,但今年復(fù)旦大學(xué)持續(xù)在人腦\水鋰電池等行業(yè)上獲得突出研究能力,因而正面效應(yīng)依然存在。

風(fēng)華高科:公司是目前國(guó)內(nèi)片式元器件規(guī)模最大、元件產(chǎn)品系列配套最齊全的具備國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的電子元件企業(yè),是MLCC及片式電阻器全球十大企業(yè)之一。公司研制、生產(chǎn)和銷售系列新型片式元器件,2011年更是對(duì)半導(dǎo)體高壓功率MOSFET生產(chǎn)技術(shù)線進(jìn)行了改造。

近日據(jù)相關(guān)媒體報(bào)道,復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)課題組成功研制出第一個(gè)介于普通MOSFET晶體管和浮柵晶體管之間的半浮柵晶體管(SFGT),采用該材料的芯片將具有高密度和低功耗的優(yōu)勢(shì),該研究成果被刊發(fā)在美國(guó)《科學(xué)》雜志上。

分析人士認(rèn)為,作為我國(guó)微電子領(lǐng)域的重大技術(shù)突破,此項(xiàng)科研成果有望進(jìn)一步提升我國(guó)在芯片領(lǐng)域的話語(yǔ)權(quán),但從產(chǎn)業(yè)鏈觀察,和之前多項(xiàng)芯片技術(shù)面臨的難題一樣,芯片企業(yè)多由外國(guó)把持,如何把技術(shù)轉(zhuǎn)化為產(chǎn)能是未來需要亟待解決的問題。

魚和熊掌兼得

傳統(tǒng)意義上的電腦和智能手機(jī)的芯片均是由晶體管組成,目前晶體管的材料主要有MOS晶體管和浮柵晶體管兩種,兩種材料可謂各有千秋。

MOS晶體管適合完成高速運(yùn)算,但運(yùn)算時(shí)溫度極高,且一斷電所有的運(yùn)算數(shù)據(jù)將全部丟失;浮柵晶體管的結(jié)構(gòu)域MOS相比多了一層多晶硅材料(浮柵層),浮柵晶體管運(yùn)算速度比MOS要低不少,但其優(yōu)勢(shì)在于斷電后數(shù)據(jù)仍可以保存。業(yè)內(nèi)人士表示,目前需要大量運(yùn)算但對(duì)運(yùn)算要求較高的如CPU和GPU領(lǐng)域多使用MOS晶體管,但結(jié)果是必要配備電扇以降溫,否則元器件極易損壞,而內(nèi)存、閃存和固態(tài)硬盤等對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和溫度存在硬性要求的產(chǎn)品多使用浮柵晶體管。

此次復(fù)旦大學(xué)的科研成果,有望終結(jié)芯片領(lǐng)域魚和熊掌不可兼得的現(xiàn)狀,使用半浮柵晶體管芯片的速度將有提升,根據(jù)科研負(fù)責(zé)人的說法,使用半浮柵晶體管的芯片運(yùn)算速度將在浮柵晶體管的芯片的1000倍左右;而使用半浮柵晶體管結(jié)構(gòu)的CPU其緩存面積將縮小9成;用在內(nèi)存中運(yùn)算速度將提高到1至2倍。從結(jié)構(gòu)上看,半浮柵晶體管結(jié)構(gòu)與浮柵晶體管相比多了一層隧穿晶體管來控制電流,這將節(jié)省到諸如電容等零部件給拘泥于方寸之間芯片設(shè)計(jì)帶來更多的寶貴空間。

8月9日,美國(guó)《科學(xué)》雜志率先刊發(fā)了該研究成果。這是我國(guó)科學(xué)家首次在該雜志上發(fā)表微電子器件領(lǐng)域的論文,分析人士認(rèn)為,芯片上游領(lǐng)域作為一個(gè)極為尖端的高科技領(lǐng)域,取得如此的突破性實(shí)屬難能可貴,這將提升中國(guó)在全球芯片行業(yè)的話語(yǔ)權(quán)。

產(chǎn)業(yè)化路仍較長(zhǎng)

就市場(chǎng)來看,據(jù)估算,目前CPU、內(nèi)存、數(shù)碼相機(jī)感光器件的芯片的市場(chǎng)規(guī)模就在千億美元左右。在復(fù)旦大學(xué)公布此項(xiàng)重大科研成果后,業(yè)內(nèi)人士對(duì)產(chǎn)業(yè)化問題頗為關(guān)心,但從目前的情況來看,由于上游多屬于外國(guó)企業(yè),半浮柵晶體管芯片恐仍有較長(zhǎng)的道路要走。據(jù)了解,復(fù)旦大學(xué)目前已對(duì)此技術(shù)申請(qǐng)了核心技術(shù)專利,但后期的應(yīng)用設(shè)計(jì)工作仍需要企業(yè)來完成。

據(jù)中證報(bào)報(bào)道,目前全球芯片市場(chǎng)主要被外國(guó)壟斷,如Intel、高通、ARM等外國(guó)企業(yè)占據(jù)了芯片市場(chǎng)的大部分芯片市場(chǎng)份額。分析人士認(rèn)為,如何將此項(xiàng)由中國(guó)自主掌握的尖端技術(shù)做好相應(yīng)配套,由技術(shù)轉(zhuǎn)化為實(shí)際產(chǎn)能仍需要產(chǎn)業(yè)鏈下游積極配合,但從目前來看,我國(guó)在此中游領(lǐng)域與國(guó)外相比較為薄弱,短期內(nèi)產(chǎn)業(yè)化將面臨較大的不確定性。

微電子罕見成就或催生“元器件熱”

今年以來,“電子熱”此起彼伏,各類技術(shù)創(chuàng)新更成為個(gè)股股價(jià)爆發(fā)的催化劑。

近日據(jù)相關(guān)媒體報(bào)道,復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)課題組成功研制出第一個(gè)介于普通MOSFET晶體管和浮柵晶體管之間的半浮柵晶體管(SFGT),該研究成果被刊發(fā)在美國(guó)《科學(xué)》雜志上。分析人士表示,這是我國(guó)科學(xué)家首次在該雜志上發(fā)表微電子器件領(lǐng)域的論文,標(biāo)志著我國(guó)在全球尖端集成電路技術(shù)創(chuàng)新鏈中獲得了重大突破。預(yù)計(jì)此次微電子的罕見成就將催生新一波的“元器件熱”,相關(guān)個(gè)股華微電子、復(fù)旦復(fù)華、長(zhǎng)電科技及風(fēng)華高科有望獲得資金青睞。

微電子罕見成就意義重大

據(jù)相關(guān)媒體報(bào)道,復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)課題組成功研制出第一個(gè)介于普通MOSFET晶體管和浮柵晶體管之間的半浮柵晶體管(SFGT)。8月9日,美國(guó)《科學(xué)》雜志刊發(fā)了該研究成果,這是我國(guó)科學(xué)家首次在該雜志上發(fā)表微電子器件領(lǐng)域的論文,標(biāo)志著我國(guó)在全球尖端集成電路技術(shù)創(chuàng)新鏈中獲得重大突破。

據(jù)介紹,金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)是目前集成電路中最基本的器件,而常用的U盤等閃存器件多采用另一種被稱為浮柵晶體管的器件。此次研究人員把一個(gè)隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管(TFET)和浮柵器件結(jié)合起來,構(gòu)成了一種全新的“半浮柵”結(jié)構(gòu)器件,稱為半浮柵晶體管。它具有高密度和低功耗的明顯優(yōu)勢(shì),可取代一部分靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM),并應(yīng)用于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)領(lǐng)域以及主動(dòng)式圖像傳感器芯片(APS)領(lǐng)域。

據(jù)復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)介紹道,作為一種基礎(chǔ)電子器件,半浮柵晶體管在存儲(chǔ)和圖像傳感等領(lǐng)域的潛在應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模超過300億美元。它的成功研制將有助于我國(guó)掌握集成電路的核心技術(shù),從而在國(guó)際芯片設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域內(nèi)逐漸獲得更多的話語(yǔ)權(quán)。

而不同于實(shí)驗(yàn)室研究的基于碳納米管、石墨烯等新材料的晶體管,半浮柵晶體管是一種基于標(biāo)準(zhǔn)硅CMOS工藝的微電子器件。張衛(wèi)表示,半浮柵晶體管兼容現(xiàn)有主流集成電路制造工藝,具有很好的產(chǎn)業(yè)化基礎(chǔ);不過,擁有核心專利并不等于擁有未來的廣闊市場(chǎng)。盡管半浮柵晶體管應(yīng)用市場(chǎng)廣闊,但前提是對(duì)核心專利進(jìn)行優(yōu)化布局。

國(guó)際巨頭加大支出半導(dǎo)體消費(fèi)規(guī)模創(chuàng)新高

據(jù)海外媒體報(bào)道,盡管全球芯片銷量去年出現(xiàn)了下滑,但今年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)有望因國(guó)際大電子品牌商的加大支出而實(shí)現(xiàn)復(fù)蘇;其中,蘋果和三星將會(huì)角逐成為今年半導(dǎo)體市場(chǎng)上最大的消費(fèi)者。

今年以來,設(shè)備廠商們對(duì)半導(dǎo)體領(lǐng)域的投資熱情十分高漲。據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)IHS的估計(jì),今年全球主要設(shè)備生產(chǎn)商的半導(dǎo)體市場(chǎng)開支有望增長(zhǎng)至2652億美元,較去年的2544億美元,同比增長(zhǎng)4.2%。更為重要的是,2013年的半導(dǎo)體市場(chǎng)消費(fèi)規(guī)模將達(dá)到過去六年來的最高水平。

業(yè)已成為全球PC貨量最大的中國(guó)市場(chǎng),目前在與全球PC相關(guān)的芯片支出方面仍占有舉足輕重的比重。據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)IDC估計(jì),全球芯片產(chǎn)業(yè)在今年仍有望實(shí)現(xiàn)較低的個(gè)位數(shù)增長(zhǎng),增長(zhǎng)主要是來自于移動(dòng)領(lǐng)域,其中蘋果和三星為該領(lǐng)域的統(tǒng)治者。據(jù)IHS的數(shù)據(jù)顯示,僅無(wú)線通訊板塊今年就占據(jù)了半導(dǎo)體市場(chǎng)26%的份額,即大約620億美元的份額。該板塊在2013年也是增長(zhǎng)最快的一個(gè)市場(chǎng),全年預(yù)期增幅達(dá)12.8%。

據(jù)悉,蘋果和三星是今年半導(dǎo)體市場(chǎng)上支出規(guī)模最高的兩家公司,排在它們之后的一些廠商包括有惠普、聯(lián)想、索尼、戴爾、思科、松下、東芝以及華碩電腦。當(dāng)中部分廠商既為芯片生產(chǎn)商身份,也同時(shí)為芯片供應(yīng)商,還有部分廠商在芯片支出方面保持著增長(zhǎng),也有部分廠商出現(xiàn)了下滑。

我國(guó)科學(xué)家首次研制出新型微電子半浮柵晶體管,這標(biāo)志著我國(guó)在全球尖端集成電路技術(shù)創(chuàng)新鏈中獲得了重大突破,再加上年內(nèi)國(guó)際巨頭的爭(zhēng)相投入,半導(dǎo)體投資熱情不減,預(yù)計(jì)新一波的“元器件熱”將順勢(shì)而出。

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