IGBT今后或將朝向縮小電壓范圍發(fā)展的趨勢

時間：2013-09-11

來源：中國傳動網

導語：未來IGBT有向縮小電壓范圍發(fā)展的趨勢，以滿足電視機、計算機適配器和照相機等消費類目標應用需求，從而搶占更多市場。

未來推動IGBT市場增長的最主要領域是變頻器、變頻家電、軌道交通產業(yè)、太陽能及風能可再生能源、混合動力車和純電動車。出汽車外的市場都集中在中國。

目前國內基本都是只能做到封裝IGBT管，完全自主生產我沒有看到，雖然南車說自己有8英寸線，但未聽說正式投產。

IGBT是RCA公司和GE公司在1982年提出并于1986年開始正式生產并逐漸系列化的器件，是繼雙極晶體管（GTR）和MOSFET后的第三代功率半導體分立器件，其綜合GTR和MOSFET的優(yōu)點，具有易于驅動、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高的特點，廣泛應用于小體積、高效率的變頻電源、電機調速、UPS以及逆變焊機當中，是目前發(fā)展最為迅速的新一代功率器件。

IGBT已經是非常成熟的產品，目前在中高電壓領域的市場規(guī)模達16億美元。未來IGBT有向縮小電壓范圍發(fā)展的趨勢，以滿足電視機、計算機適配器和照相機等消費類目標應用需求，從而搶占更多市場。與此同時，在上述應用中的SJMOSFET可提供更快的開關頻率和具有競爭力的價格，2012年年底，SJMOSFET市場規(guī)模將達5.67億美元。

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