最小最薄低內(nèi)阻雙電層電容器開(kāi)始量產(chǎn)

時(shí)間:2013-09-12

來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載

導(dǎo)語(yǔ):新產(chǎn)品對(duì)材料和設(shè)計(jì)進(jìn)行了優(yōu)化,抑制了高溫環(huán)境下的特性劣化,可在70℃溫度下維持5年的運(yùn)轉(zhuǎn)壽命。

村田制作所日前發(fā)布了能夠在高溫環(huán)境下確保長(zhǎng)期可靠性的“全球最小最薄”的雙電層電容器“DMT系列”。新產(chǎn)品主要用于SSD(固態(tài)硬盤(pán))的數(shù)據(jù)備份和智能儀表的輔助電源。

圖:村田低內(nèi)阻雙電層電容器

據(jù)介紹,新產(chǎn)品對(duì)材料和設(shè)計(jì)進(jìn)行了優(yōu)化,抑制了高溫環(huán)境下的特性劣化,可在70℃溫度下維持5年的運(yùn)轉(zhuǎn)壽命。DMF的工作溫度上限為70℃,而DMT則為85℃。另外,DMT的ESR(等效串聯(lián)電阻)為130mΩ(1kHz時(shí)),遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于DMF的40m~90mΩ。

新產(chǎn)品的額定電壓為4.2V,額定容量為470mF,封裝尺寸為21.0mm×14.0mm×3.5mm。已從2013年8月開(kāi)始在福井村田制作所量產(chǎn)。

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