近二十年來碳化硅半導(dǎo)體材料開始被行內(nèi)人士重視，因?yàn)樗性S多優(yōu)勢。早在上世記50年代，在黃昆、謝希德合著的“半導(dǎo)體物理學(xué)”著作中已介紹了半導(dǎo)體碳化硅。最早進(jìn)入制作半導(dǎo)體器件的材料是鍺，隨后，硅和三、五族半導(dǎo)體材料登上了歷史舞臺。直至如今電力電子領(lǐng)域的晶閘管和IGBT等高壓、大電流器件仍是使用硅單晶材料。由于碳化硅器件設(shè)計(jì)理論有所突破，人們對更高性能的大功率半導(dǎo)體器件的期望也越來越迫切。

據(jù)權(quán)威媒體分析，SiC和GaN器件將大舉進(jìn)入電力電子市場，預(yù)計(jì)到2020年，SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場份額。未來電力電子元器件市場發(fā)展將更多地集中到SiC和GaN的技術(shù)創(chuàng)新上。

SiC器件因?yàn)槌墒於群涂煽啃愿?，發(fā)展腳步將領(lǐng)先GaN。SiC功率器件增長動力主要來自可再生能源領(lǐng)域，在太陽能市場占有率將達(dá)32%。在軌道交通領(lǐng)域，SiC和GaN的應(yīng)用相當(dāng)，預(yù)計(jì)到2020年，兩者市場份額分別為16%和15%。在IT和電子設(shè)備市場，GaN較SiC更有優(yōu)勢，估計(jì)2020年市場份額可達(dá)14%。

GaN剛剛起步但后勁十足，GaN是一種寬帶隙材料，可提供類似SiC的性能特色，但有更大的成本降低潛力。這一性價比優(yōu)勢是有可能實(shí)現(xiàn)的，因?yàn)镚aN功率器件可在硅襯底上生長出來，與SiC襯底相比，它的成本更低。

由于全球經(jīng)濟(jì)的不景氣和SiC的價格下降幅度并不如預(yù)期的大，SiC和GaN功率器件需求市場近幾年并沒有出現(xiàn)強(qiáng)烈增長。與之相反，業(yè)界對GaN技術(shù)的信心開始增長，因?yàn)楦嗟陌雽?dǎo)體供應(yīng)商宣布GaN的開發(fā)計(jì)劃。

隨著國家相關(guān)政策的完善及戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的崛起，電力電子技術(shù)在風(fēng)能、太陽能、熱泵、水電、生物質(zhì)能、綠色建筑、新能源裝備、電動汽車等先進(jìn)制造業(yè)等重要領(lǐng)域都將發(fā)揮重要作用，而這其中的許多領(lǐng)域都在“十二五”規(guī)劃中具備萬億以上的市場規(guī)模，其必然帶動電力電子技術(shù)及產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展，迎來重大的發(fā)展機(jī)遇。

據(jù)悉，PEC電力電子蘇州站(10月25-26日，蘇州會議中心)，將迎來業(yè)界內(nèi)知名企業(yè)及行業(yè)組織專家，共同探討SiC和GaN在未來的發(fā)展趨勢，以及能否真正意義上為國民經(jīng)濟(jì)帶來質(zhì)的飛躍等話題。如CREE科銳將隆重出席會議，并為觀眾帶來碳化硅器件的發(fā)展與應(yīng)用的精彩演講，來自中國科學(xué)院州納米研究所的專家，將為業(yè)內(nèi)分享GaN電力電子器件的相關(guān)知識。