IGBT已經(jīng)是非常成熟的產(chǎn)品，目前在中高電壓領(lǐng)域的市場規(guī)模達16億美元。未來IGBT有向縮小電壓范圍發(fā)展的趨勢，以滿足電視機、計算機適配器和照相機等消費類目標應用需求，從而搶占更多市場。與此同時，在上述應用中的SJMOSFET可提供更快的開關(guān)頻率和具有競爭力的價格，2012年年底，SJMOSFET市場規(guī)模將達5.67億美元。
功率電子領(lǐng)域主要負責DC-DC轉(zhuǎn)換、AC-DC轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動等工作。需要更輕更小更高效率更便宜，目前有4種技術(shù)來對應這些要求，分別是siliconIGBT，SuperJunction（SJ）MOSFETs，GalliumNitride（GaN）SiliconCarbide（SiC）-baseddevices。
事實上，IGBT在電動車/動力混合汽車（EV/HEV）、再生能源（RenewableEnergies）、馬達驅(qū)動器（MotorDrive）、不斷電動力系統(tǒng)（UPS）及交通上的應用是該市場的成長動力來源。
IGBT市場在2011~2012年少許反常性的下跌后，Yole分析師預期今年市場已回歸穩(wěn)定成長腳步，具體而言，市場預估將從今年的36億美元，在5年后達到60億美元。在Yole的報告中最廣泛被分析的是IGBT在馬達驅(qū)動器的應用，區(qū)分為工業(yè)、商業(yè)和住宅應用，馬達驅(qū)動器是帶動IGBT市場成長的最大動力。
如風能、太陽能等再生能源領(lǐng)域也是IGBT市場成長的幫手;不過，這兩個產(chǎn)業(yè)多賴政府補助或投資，難以正確預估其成長趨勢。幸運的是，日本與新興國家對風能與太陽能多加關(guān)助所帶動的成長，約可彌補歐洲市場的成長趨緩?；趯μ岣吣茉葱实囊螅蟊娺\輸及不斷電電源系統(tǒng)這兩個基礎(chǔ)建設(shè)對IGBT的採用，也是推動市場的助力。
未來伴隨IGBT技術(shù)的發(fā)展，IGBT已經(jīng)從工業(yè)擴展到消費電子應用，成為未來10年發(fā)展最迅速的功率半導體器件；而在中國市場，軌道交通、家電節(jié)能、風力發(fā)電、太陽能光伏和電力電子等應用更是引爆了IGBT應用市場。據(jù)IHSiSuppli公司中國研究服務即將發(fā)表的一份報告，由于綠色能源與能源效率得到更多的重視，以及政府投資支持和嚴格的能源政策，2011-2015年中國絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）市場銷售額的復合年度增長率將達13%。2011年IGBT銷售額將達到8.59億美元，2015年有望達到13億美元。
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