ST推出雙極功率晶體管 媲美MOSFET的能效且具備緊湊封裝

時(shí)間：2013-10-16

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導(dǎo)語(yǔ)：在完全飽和狀態(tài)時(shí)，最大壓降是200mV，基極電流僅為10mA。等效導(dǎo)通電阻僅為90m?，接近同等級(jí)超級(jí)邏輯電平MOSFET的性能。

意法半導(dǎo)體的3STL2540提供雙極晶體管的成本優(yōu)勢(shì)和硅面積使用效率，同時(shí)兼具同級(jí)MOSFET的能效，為設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)節(jié)省空間的低成本的電源管理和DC-DC電源轉(zhuǎn)換器(DC-DCconverters)轉(zhuǎn)換解決方案。

3STL2540是一個(gè)-40V/-5APNP結(jié)晶體管，在完全飽和狀態(tài)時(shí)，最大壓降是200mV，基極電流僅為10mA。等效導(dǎo)通電阻僅為90m?，接近同等級(jí)超級(jí)邏輯電平MOSFET的性能。

ST推出雙極功率晶體管

3STL2540的核心技術(shù)是意法半導(dǎo)體的先進(jìn)的雙金屬層平面基島工藝，在0.2到10V的寬輸出電壓下，溫度在-30°C到150°C范圍內(nèi)，連續(xù)高電流增益(consistentlyhighcurrentgain，hFE)至少保持在100，創(chuàng)下業(yè)內(nèi)這類(lèi)器件最低的導(dǎo)通損耗記錄。高熱效率封裝PowerFLAT™僅0.6mm高，封裝面積為2mmx2mm，在最小的印刷電路板內(nèi)實(shí)現(xiàn)高性能功率電路。

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