計算機技術發(fā)展至今，處理器已經(jīng)從高主頻轉向多核心，電腦的內(nèi)存介質(zhì)也需要一次重大的革新。閃存介質(zhì)的存儲空間越來越大，比如2TB的SD卡、更大容量的SSD固態(tài)硬盤等，但在技術沒有革新的情況下，瓶頸是在所難免的。

新一代的內(nèi)存技術，不僅能夠讓閃存實現(xiàn)數(shù)百GB甚至幾TB的容量，還能夠改變DRAM無法長時間存儲信息的弊端，讓內(nèi)存也可以存儲文件，實現(xiàn)更先進的系統(tǒng)形態(tài)。

目前，已經(jīng)擁有十幾種正在開發(fā)的新型存儲技術，將在未來改變計算機的硬件結構，下面來簡單了解一下。

操作系統(tǒng)的影響

首先，更先進的數(shù)據(jù)存儲方案也會在操作系統(tǒng)層面提升數(shù)據(jù)管理的效率。微軟的文件系統(tǒng)專家SpencerShepler表示，如果能夠讓RAM在系統(tǒng)索引方面發(fā)揮更大作用，直接鏈接到文件并一直存儲在RAM中，那么電腦的數(shù)據(jù)訪問速度將獲得極大的提升。

當然，如果RAM中的數(shù)據(jù)不會消失，還會引發(fā)一系列的問題。比如，當系統(tǒng)重新啟動時如何檢查系統(tǒng)完整性？那么，如何像使用硬盤那樣把內(nèi)存中的數(shù)據(jù)導出？如果不幸電腦感染病毒，那么內(nèi)存中的數(shù)據(jù)不會消失，如何維護計算機的安全性？

這需要涉及到信息系統(tǒng)的重建，系統(tǒng)廠商需要開發(fā)出更先進的新技術來實現(xiàn)數(shù)據(jù)管理。

新一代內(nèi)存的競爭者

傳統(tǒng)DRAM內(nèi)存使用的是電容材質(zhì)進行數(shù)據(jù)的存儲，必須隔一段時間刷新一次，所以無法實現(xiàn)數(shù)控的永久存儲；而記憶電阻材質(zhì)，則有可能成為其替代品。比如惠普正在研發(fā)的“憶阻器內(nèi)存”，可以使用離子氧化鉭擴展或收縮電壓，當電源關閉時，存儲元件可以保持形態(tài)，數(shù)據(jù)不會丟失。目前，諸如松下、海力士、Rambus等多個廠商，都在使用不同的記憶電阻材質(zhì)，來開發(fā)新型的RAM。目前記憶電阻內(nèi)存的主要瓶頸在于速度，不過惠普表示隨著技術的發(fā)展，記憶電阻的速度最終會達到目前DRAM的速度。

記憶電阻內(nèi)存

其他廠商也在類似的產(chǎn)品，如IBM，正在研究相變類存儲介質(zhì)，利用硫族化合物在晶態(tài)和非晶態(tài)巨大的導電性差異來存儲數(shù)據(jù)的，在加熱和冷卻時不會丟失數(shù)據(jù)；納米RAM也是一種類似的原理，使用網(wǎng)狀碳納米管材質(zhì)來替代傳統(tǒng)電容內(nèi)存。

IBM相變存儲芯片

不過，由于技術成本的關系，目前惠普主推的憶阻器內(nèi)存最有可能實現(xiàn)商用，但初期的價格仍會比較昂貴。顯然，傳統(tǒng)閃存和DRAM仍然會服役很長一段時間，但是在操作系統(tǒng)、存儲介質(zhì)不斷發(fā)展的情況下，未來的電腦文件存儲和應用都將發(fā)生巨大的改變。

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