由中國南車株洲所研制的國內唯一一款最大電壓等級、最高功率密度的6500伏高壓IGBT芯片及其模塊亮相，并通過湖南省科技廳組織的“高壓高功率密度IGBT芯片及其模塊研究開發(fā)”項目鑒定，各項技術指標達國際先進水平。
據了解，中國南車株洲從2011年開始，對該項高端技術進行自主攻關。去年12月，開發(fā)出國內首款從芯片到模塊完全自主化的3300伏等級的IGBT芯片。此后，又成功研制出4500伏、6500V高功率密度IGBT芯片及模塊，初步形成了IGBT器件技術的完整產品型譜。該所成國內唯一一家全面掌握IGBT芯片技術研發(fā)、模塊封裝測試和系統(tǒng)應用的企業(yè)。
該目負責人劉國友介紹，中國南車株洲所在IBGT芯片設計、封裝測試、可靠性試驗、系統(tǒng)應用上攻克了30多項難題，掌握了該器件的成套技術，并在IGBT的規(guī)?；I(yè)化生產上形成了完整的工藝體系，產品在國內軌道交通、柔性直流輸電以及礦冶領域得到批量應用。最新一代的高功率密度IGBT模塊產品性能與英飛凌、ABB及三菱的同類產品性能相當，且產品的靜態(tài)損耗更低。目前，項目已申報專利20項，獲得授權發(fā)明專利兩項，實用新型專利兩項。
高壓高功率密度IGBT具“更高功率密度、更低功耗、更高工作溫度和更高可靠性”等特點。與其上一代產品相比，功耗可降低10%以上，功率密度提高25%以上，最大工作溫度提升到150℃(3300V電壓等級)，并具更大的安全工作區(qū)特性，廣泛應用與智能電網及軌道交通等領域。
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