大量的金錢和精力都花在探索FinFET工藝，它會持續(xù)多久和為什么要替代他們？

這場競賽還遠未結束。顯然在芯片制造商之間可能已經(jīng)達成以下共識：下一代器件的結構選擇，包括III-V族的FinFET;環(huán)柵的FinFET;量子阱;硅納米線;SOIFinFET和TFET等。

未來仍有很長的路要走。除此之外，還有另一條路可能采用一種垂直的芯片架構，如2.5D/3D堆疊芯片以及單片3DIC。

半導體業(yè)已經(jīng)探索了一些下一代晶體管技術的候選者。例如在7nm時，采用高遷移率的FinFET，及用III-V族元素作溝道材料來提高電荷的遷移率。然后，到5nm時，可能會有兩種技術，其中一種是環(huán)柵FET，和另一種是隧道FET(TFET)，它們在比較中有微弱的優(yōu)勢。原因都是因為最終CMOS器件的靜電問題，一種是在溝道的四周圍繞著柵極的結構。相比之下，TFETs是依賴陡峭的亞閾值斜率晶體管來降低功耗。

總之，英特爾，臺積電和一些其他公司，它們均認為環(huán)柵技術可能會略占上風。Intel的Mayberry說，英特爾也正在研究它，這可能是能被每個人都能接受的工藝路線圖。

芯片制造商可能需要開發(fā)一種以上的架構類型，因為沒有一種單一的技術可為未來的應用是個理想的選擇。Intel公司副總裁，元件技術和制造部主任MichaelMayberry說。這不可能是一個單一的答案，有許多不同的答案，將針對不同的細分市場。”

英特爾同樣也對TFET技術表示出濃厚的興趣，盡管其他人有不同的意見。最終的贏家和輸家將取決于成本，可制造性和功能性。Mayberry說，例如，最為看好的是晶體管的柵極四周被碳納米線包圍起來，但是我們不知道怎樣去實現(xiàn)它。所以這可能不是一個最佳的選擇方案，它必須要能進行量產。

另一個問題是產業(yè)能否保持仍是每兩年的工藝技術節(jié)點的節(jié)奏。隨著越來越多的經(jīng)濟因素開始發(fā)揮作用，相信未來半導體業(yè)移動到下一代工藝節(jié)點的時間會減緩，甚至可能會不按70%的比例縮小，而延伸下一代的工藝節(jié)點。

延伸FinFET工藝

在2014年英特爾預計將推出基于14nm工藝的第二代FinFET技術。同樣在今年，格羅方德，臺積電和三星也分別有計劃推出他們的14nm級的第一代FinFET技術。

所以到7nm時，業(yè)界必須考慮一種新的技術選擇。根據(jù)不同產品的路線圖及行業(yè)高管的見解，主要方法是采用高遷移率或者III-V族的FinFET結構。應用材料公司蝕刻技術部的副總裁BradleyHoward說，從目前的態(tài)勢，在7nm節(jié)點時III-V族溝道材料可能會插入。

在今天的硅基的FinFET結構中在7nm時電子遷移率會退化。由于鍺(Ge)和III-V元素材料具有較高的電子傳輸能力，允許更快的開關速度。據(jù)專家說，第一個III-V族的FinFET結構可能由在pFET中的Ge組成。然后，下一代的III-V族的FinFET可能由鍺構成pFET或者銦鎵砷化物(InGaAs)組成NFET。

intel公司也正分別開發(fā)10nm的FinFET技術，然而現(xiàn)在的問題是產業(yè)如何延伸FinFET工藝?對于FinFET技術，IMEC的工藝技術高級副總裁，AnSteegen說，在10nm到7nm節(jié)點時柵極已經(jīng)喪失溝道的控制能力。Steegen說，理想的方案是我們可以把一個單一的FinFET最大限度地降到寬度為5nm和柵極長度為10nm。

高遷移率的FinFET也面臨一些挑戰(zhàn)，包括需要具有集成不同的材料和結構的能力。為了幫助解決部分問題，行業(yè)正在開發(fā)一種硅鰭的替換工藝。這取決于你的目標，但是III-V族的FinFET將最有可能用來替代鰭的技術，Howard說?；旧希阕龅氖翘娲?。你要把硅鰭的周圍用氧化物包圍起來。這樣基本上是把硅空出來用III-V族元素來替代。