ST HB系列IGBT有效提升能效 安全性和可靠性
HB系列利用意法半導體的溝柵式場截止型高速晶體管制造工藝,集電極關斷尾電流極低,飽和電壓(Vce(sat))為1.6V(典型值),從而最大限度降低了開關和導通時的能耗。此外,這項技術具有良好的可控性,參數(shù)分布窗口十分緊密,從而可提高設計再用性,簡化系統(tǒng)設計。
意法半導體的HB系列IGBT可提升目標應用的能效,例如太陽能逆變器、電磁爐、電焊機、不間斷電源、功率因數(shù)校正器和高頻功率轉(zhuǎn)換器。650V的寬額定工作電壓確保環(huán)境溫度在-40℃時擊穿電壓至少600V,使其特別適用于高寒地區(qū)的太陽能逆變器。175℃的最大工作結(jié)溫和寬安全工作區(qū)(SOA)提高了產(chǎn)品的可靠性,準許目標應用使用更小的散熱器。
可選參數(shù)包括30A到80A(在100℃時)的最大額定電流、多種主流的功率封裝和為諧振或硬開關電路優(yōu)化的內(nèi)置二極管的封裝。
HB系列產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。
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