日本半導體制造商株式會社東芝（Toshiba）旗下東芝半導體&存儲產(chǎn)品公司宣布，將參加在上海舉行的“上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會”（PCIMAsia2014）。本次展會于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開帷幕，東芝半導體&存儲產(chǎn)品公司此次將展示其最新的、應用在電力領域的技術和產(chǎn)品。

在4號展廳的614展位上，東芝電子將展出其IEGT（InjectionEnhancedGateTransistor）專利產(chǎn)品、Stack（壓接裝置）產(chǎn)品、SiC（混合型IEGT）產(chǎn)品、IPD+MCU（電機驅(qū)動方案）、MOSFETs以及Coupler（光耦）。

展示產(chǎn)品簡介：

IEGT（InjectionEnhancedGateTransistor）

東芝在IGBT的基礎上成功研發(fā)出“注入增強”（IE：InjectionEnhanced）技術，用于高電壓大電流級別的IGBT使其性能得到大幅提升。隨后，針對100kW到MW級別的超大功率電力轉(zhuǎn)換設備的應用，開發(fā)出東芝專利產(chǎn)品IEGT。IEGT通過采取“注入增強結(jié)構(gòu)”實現(xiàn)了低通態(tài)電壓，使大功率電力電子器件取得了飛躍性的發(fā)展。作為IGBT系列電力電子器件具有良好的發(fā)展前景，其具有低損耗、高速開關、高耐壓、有源柵驅(qū)動智能化等特點。并采用溝槽結(jié)構(gòu)和多芯片并聯(lián)均流等技術，使其在進一步及擴大電流容量方面頗具潛力。目前，東芝的IEGT主要應用于新能源、太陽能、風能、高壓直流輸電（HVDC）、牽引用特種電源等特大功率電力領域。隨著電力市場項目功率等級和電壓等級的不斷提高，IEGT的優(yōu)勢逐步得到了體現(xiàn)和認可。現(xiàn)在國內(nèi)市場上已經(jīng)有以東芝的IEGT作為核心器件成功運行項目。

Stack（壓接裝置）

針對PPI壓接式封裝的產(chǎn)品，需要專用的壓接裝置，東芝將展示客戶版本的壓接裝置，可供其他客戶參考。

SiC（混合型IEGT）

東芝已將新型材料碳化硅的技術，成功地應用于IEGT模塊中，取代了IEGT中的二極管，實現(xiàn)了高效和高性能的新產(chǎn)品。

IPD+MCU（電機驅(qū)動方案）

東芝智能模塊IPD結(jié)合了專用驅(qū)動芯片MCD，可以支持小功率的電機，并已被廣泛地用于家電行業(yè)。

MOSFETs

東芝擁有豐富封裝的高壓MOS管（HV-MOS）和低壓MOS（LV-MOS）產(chǎn)品線，能滿足從消費類電子到工業(yè)相關設備的不同需求。

Coupler（光耦）

東芝光耦的出貨量一直保持全球第一，擁有豐富的封裝和新產(chǎn)品線，能滿足從不同領域的不同需求。

東芝將在節(jié)能、環(huán)保、綠色及可持續(xù)發(fā)展等方面以全面創(chuàng)新為己任，整合多領域技術，提供優(yōu)秀的產(chǎn)品和技術支持。