中國首條8英寸IGBT專業(yè)芯片線在中國南車株洲電力機(jī)車研究所有限公司建成，中國首片8英寸IGBT芯片同時(shí)下線。此舉打破了國外在高端IGBT芯片技術(shù)上的壟斷，對保障國民經(jīng)濟(jì)安全和推動兩型建設(shè)具有重大戰(zhàn)略意義。

IGBT即“絕緣柵雙極型晶體管”，主要應(yīng)用于船舶、高壓電網(wǎng)、軌道交通等大功率電力驅(qū)動設(shè)備中。與微電子技術(shù)中芯片技術(shù)(通常所說的CPU)一樣，IGBT芯片技術(shù)是電力電子行業(yè)中的“心臟”和“大腦”，控制并提供大功率的電力設(shè)備電能變換，可有效提升設(shè)備的能源利用效率、自動化和智能化水平。

IGBT芯片技術(shù)含量極高，制造難度非常大，被業(yè)內(nèi)譽(yù)為“皇冠上的明珠”，其研發(fā)、制造、應(yīng)用是衡量一個(gè)國家科技創(chuàng)新和高端制造業(yè)水平的重要標(biāo)志。過去，全球IGBT技術(shù)主要掌握在歐洲和日本等少數(shù)幾個(gè)國家手中。中國的IGBT芯片及其相關(guān)產(chǎn)品99%以上依賴進(jìn)口，國內(nèi)在芯片、封裝、裝置、系統(tǒng)應(yīng)用上還沒有形成獨(dú)立、完整的技術(shù)體系和產(chǎn)業(yè)體系。

為了實(shí)現(xiàn)“IGBT”國產(chǎn)化之夢，中國南車?yán)塾?jì)投入超過30億元，上百位專家攻克了30多項(xiàng)重大難題，終于掌握了該器件的成套技術(shù)，建立了完整的IGBT規(guī)?；I(yè)化生產(chǎn)工業(yè)體系，成功研制出從650伏到6500伏高功率密度IGBT芯片及模塊，形成了IGBT的完整產(chǎn)業(yè)鏈。2011年5月，南車株洲所在田心高科園開工建設(shè)IGBT產(chǎn)業(yè)化基地，建設(shè)世界第二條8英寸IGBT專業(yè)芯片線。這條投資近15億元的生產(chǎn)線，首期將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)12萬片8英寸IGBT芯片，配套生產(chǎn)100萬只IGBT模塊，真正實(shí)現(xiàn)IGBT的國產(chǎn)化。

中國工程院院士、南車株洲所總經(jīng)理丁榮軍說，據(jù)初步估算，如果將IGBT等電力電子技術(shù)應(yīng)用到全國20%的電機(jī)中，每年可節(jié)約用電2000億千瓦時(shí)，相當(dāng)于2個(gè)三峽電站的年發(fā)電量。同時(shí)，高功率等級IGBT的自主研制成功，對于國家經(jīng)濟(jì)安全、國防安全具有至關(guān)重要的意義。

當(dāng)天生產(chǎn)的首片8英寸IGBT芯片，移交中國科學(xué)技術(shù)館收藏。

市領(lǐng)導(dǎo)賀安杰、毛騰飛、何劍波，中國南車集團(tuán)總裁劉化龍，以及工信部等國家相關(guān)部委、省直部門負(fù)責(zé)人到場祝賀。市委書記賀安杰希望南車株洲所以此為契機(jī)，再接再厲，為株洲乃至世界軌道交通發(fā)展，為推進(jìn)株洲新型工業(yè)化進(jìn)程作出更大貢獻(xiàn)。