IR第八代IGBT技術(shù)平臺(tái)和IR3847 SupIRBuck榮獲年度電子成就獎(jiǎng)

時(shí)間:2014-09-22

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導(dǎo)語:IR第八代IGBT平臺(tái)獲得2014中國年度電子成就獎(jiǎng)之“年度優(yōu)秀高性能元器件產(chǎn)品”獎(jiǎng)。第八代IGBT采用IR的新一代通道柵極場截止技術(shù),為工業(yè)及節(jié)能應(yīng)用提供卓越性能。全新的Gen8設(shè)計(jì)可讓高性能Vce(on)減少功耗、增加功率密度以及提供超卓的耐用性。

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司(InternationalRectifier,簡稱IR)宣布旗下第八代(Gen8)1200V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)技術(shù)平臺(tái)和IR3847SupIRBuck大電流集成式穩(wěn)壓器榮膺業(yè)界聞名的“2014中國年度電子成就獎(jiǎng)”。

IR第八代IGBT平臺(tái)獲得2014中國年度電子成就獎(jiǎng)之“年度優(yōu)秀高性能元器件產(chǎn)品”獎(jiǎng)。第八代IGBT采用IR的新一代通道柵極場截止技術(shù),為工業(yè)及節(jié)能應(yīng)用提供卓越性能。全新的Gen8設(shè)計(jì)可讓高性能Vce(on)減少功耗、增加功率密度以及提供超卓的耐用性。

IR3847獲得“年度優(yōu)秀功率器件/電壓轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品獎(jiǎng)”。該產(chǎn)品采用纖巧的5x6mm封裝,并把IR第三代SupIRBuck系列的額定電流擴(kuò)大至25A。由于IR3847使用的新款熱增強(qiáng)型封裝采用銅夾技術(shù)和多項(xiàng)自主創(chuàng)新的控制器技術(shù),所以該器件不需要散熱片即可在25A下工作,使電路板尺寸也比其它集成式解決方案減少了20%,更比采用控制器和功率MOSFET的分立式解決方案減少了70%,使一套完整的25A電源解決方案可以在168mm2大小的電路板中實(shí)現(xiàn)。

IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“IR第八代IGBT和IR3847SupIRBuck器件在各自的應(yīng)用領(lǐng)域提供卓越的性能和密度,滿足了客戶的需求。我們很高興獲得業(yè)界權(quán)威的獎(jiǎng)項(xiàng),這是對(duì)我們?cè)谥袊こ探缡袌鲱I(lǐng)先的創(chuàng)新技術(shù)的認(rèn)可。”

中國年度電子成就獎(jiǎng)主要表彰在中國大陸推動(dòng)創(chuàng)新電子設(shè)計(jì)的技術(shù)、企業(yè)和人才。

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