要實(shí)現(xiàn)電網(wǎng)的高度發(fā)展及低損失化，需要使用耐壓超過10kV的功率元件。在SiC領(lǐng)域，適合用作超高耐壓元件的雙極元件方面的研究日益活躍。在SiC及相關(guān)材料學(xué)會(huì)“ECSCRM2014”(9月21～25日，法國(guó)格勒諾布爾)上，發(fā)表了多篇關(guān)于耐壓超過10kV的SiC雙極元件的論文。
比如，美國(guó)科銳公司(Cree)與美國(guó)陸軍研究所聯(lián)合試制出了耐壓27kV、額定電流為20A的n溝道SiCIGBT(演講序號(hào)：TH3-OR-02)。27kV的耐壓在迄今為止發(fā)布的IGBT中是最高的。研發(fā)人員不僅驗(yàn)證了其靜態(tài)特性，還證實(shí)可將該IGBT應(yīng)用于開關(guān)電路，實(shí)現(xiàn)14kV、3kHz以上的開關(guān)性能。
日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所的研究小組試制出了耐壓16kV的n通道SiCIGBT，并介紹了其特性評(píng)估結(jié)果(演講序號(hào)：WE-P-70)。該器件可在室溫至250℃的溫度范圍內(nèi)驅(qū)動(dòng)6.5kV、60A的開關(guān)電路。
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