日本新能源及產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機(jī)構(gòu)(NEDO)2014年8月15日宣布，將啟動功率電子領(lǐng)域的4個新項目。其中包括3個資助項目，內(nèi)容是開發(fā)使用SiC功率半導(dǎo)體的應(yīng)用系統(tǒng)，還有1個委托項目，內(nèi)容是開發(fā)性能達(dá)到或超過SiC功率半導(dǎo)體的新一代Si功率半導(dǎo)體。
這4個項目件是NEDO“實現(xiàn)低碳社會的新一代功率電子項目”(2009～2019年度)中的一部分。各項目的課題名稱和內(nèi)容如下。
“推動全球功率電子發(fā)展的新一代功率模塊的研究開發(fā)和日本型生態(tài)系統(tǒng)的構(gòu)筑”(資助對象：富士電機(jī))
目標(biāo)是短期內(nèi)開發(fā)出低成本的新一代功率模塊，構(gòu)筑可實現(xiàn)相關(guān)開發(fā)的生態(tài)系統(tǒng)，在純電動汽車(EV)及新能源等領(lǐng)域引領(lǐng)全球的發(fā)展。
“使用SiC功率器件的超高效率車載電動系統(tǒng)的開發(fā)”(資助對象：電裝)
目標(biāo)是開發(fā)出運(yùn)用基于SiC功率半導(dǎo)體的逆變器、不需要升壓轉(zhuǎn)換器的PCU(PowerControlUnit)，使車載電動系統(tǒng)的效率大幅提高。
“高輸出功率密度、高耐壓SiC功率模塊的開發(fā)”(資助對象：三菱電機(jī)、三菱材料、電氣化學(xué)工業(yè)、日本精細(xì)陶瓷、同和電子)
目標(biāo)是開發(fā)出具備全球最高水平的功率輸出密度和耐壓的SiC功率模塊，使鐵路車輛的逆變器實現(xiàn)小型化和輕量化。
“新一代Si-IGBT及其基本應(yīng)用技術(shù)的研究開發(fā)”(受托方：東京大學(xué))
目標(biāo)是運(yùn)用材料技術(shù)和工藝技術(shù)，開發(fā)出耐壓及電流密度與現(xiàn)行SiC功率半導(dǎo)體同等或更高的Si-IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)及其周邊技術(shù)。
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