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科銳（Nasdaq:CREE）宣布C2M系列1200V/80mSiCMOSFET被日本Sanix公司采用，應(yīng)用在其新型9.9kW三相太陽能逆變器的設(shè)計之中，以用于日本快速增長的太陽能市場商業(yè)光伏系統(tǒng)建設(shè)。

Sanix公司總經(jīng)理HiroshiSoga表示：“通過與科銳的合作并采用其SiC技術(shù)，Sanix公司能夠在競爭激烈的日本太陽能市場爭取更多的市場份額，科銳SiCMOSFET是Sanix公司實現(xiàn)高效率與散熱設(shè)計目標(biāo)的關(guān)鍵。同我們原先考慮采用的Si超結(jié)MOSFET相比，SiC技術(shù)能夠降低我們逆變器電子中超過30%的損耗。除了大幅提升效率之外，科銳最新一代C2MSiCMOSFET的價格也很有競爭力，使得替代低電壓、低耐受度、低效率的SiMOSFET成為可能。

科銳1200VC2M0080120DMOSFET應(yīng)用在太陽能逆變器的主要電能轉(zhuǎn)換階段，具有更快的開關(guān)特性，開關(guān)損耗僅為相應(yīng)的900VSi超結(jié)MOSFET的三分之一?？其JSiCMOSFET通過大幅降低開關(guān)損耗，從而實現(xiàn)更低的總體系統(tǒng)能源損耗、更高的開關(guān)頻率、更低的工作溫度。所有這些優(yōu)點幫助提升轉(zhuǎn)換效率，同時降低了系統(tǒng)尺寸、重量、復(fù)雜度和熱管理要求。從系統(tǒng)層面來看，逆變器的性能得到了提升、成本得到了下降、使用壽命得到了延長。

科銳功率與射頻總經(jīng)理兼副總裁CengizBalkas表示：“我們很高興Sanix公司選擇科銳C2M1200VSiCMOSFET技術(shù)應(yīng)用在其新型9.9kW太陽能逆變器中?？其JSiC功率器件為光伏逆變器帶來效率、可靠性及成本等多方面的顯著優(yōu)勢，為Sanix公司提供關(guān)鍵競爭優(yōu)勢，從而幫助其在日本太陽能市場中繼續(xù)擴大市場份額。”

科銳C2M系列SiCMOSFET業(yè)經(jīng)證明可實現(xiàn)三倍于傳統(tǒng)Si技術(shù)的功率密度，目前可提供1200V和1700V、25m到1不同產(chǎn)品型號可選?？其JC2MMOSFET可用于各種工業(yè)級功率型應(yīng)用場合，自2013年3月推出以來市場需求就不斷增長?？其JSiCMOSFET已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)，并為Sanix公司和其他光伏逆變器生產(chǎn)商，以及工業(yè)電源、輔助電源轉(zhuǎn)換器、電池充電器和馬達驅(qū)動生產(chǎn)制造商等供貨。