繼國內(nèi)首條8英寸IGBT專業(yè)芯片線在南車株洲所投產(chǎn)后，該所又傳來好消息：近日，載有首批8英寸IGBT芯片的模塊，在昆明地鐵車輛段完成段內(nèi)調(diào)試，并穩(wěn)定運行一萬公里，各項參數(shù)指標均達國際先進水平。
此次試運行的IGBT模塊，由南車株洲所旗下南車時代電氣自主研發(fā)的8英寸IGBT芯片封裝而成，IGBT芯片制造、封裝、測試的整套技術均在公司研制和生產(chǎn)。它的誕生到應用，已徹底打破國外高端IGBT技術壟斷，實現(xiàn)從研發(fā)、制造到應用的完全國產(chǎn)化。
作為電力電子裝置的“心臟”，IGBT在國家戰(zhàn)略領域中不可或缺。但是，國內(nèi)IGBT技術起步較晚，發(fā)展艱難而緩慢。國內(nèi)大功率IGBT市場因此一直被國外公司壟斷。二十世紀六十年代初，株洲所開始培養(yǎng)我國最早的半導體器件研發(fā)隊伍。改革開放后，該所從美國西屋公司引進一條3英寸大功率半導體生產(chǎn)線，通過消化和吸收，先后成功研制出5英寸系列普通晶閘管和整流管及世界上第一只6英寸晶閘管。
2008年，南車時代電氣成功并購英國丹尼克斯半導體公司，2012年，株洲所投資15億元，在株洲建設起國內(nèi)第一條8英寸IGBT專業(yè)芯片線，并于今年6月正式投產(chǎn)。10月，自主IGBT模塊成功通過功率考核試驗，并于當月底裝載至昆明地鐵1號線城軌車輛。
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