IGBT需求大 政策扶持加快產業(yè)化

時間:2015-05-08

來源:網(wǎng)絡轉載

導語:目前,我國IGBT技術取得了一定突破,應用需求巨大。IGBT芯片技術方面,中國南車建成全球第二條、國內首條8英寸IGBT芯片專業(yè)生產線,去年成功實現(xiàn)首批8英寸1700VIGBT芯片下線,8英寸3300V芯片已完成試制與測試,6500V芯片已研發(fā)出合格樣品。

全國人大代表、湖南省經(jīng)濟和信息化委員會主任謝超英表示,IGBT應用需求巨大,目前,我國IGBT消費市場規(guī)模約80億元,到2020年可能達到300億元的規(guī)模。

目前,我國IGBT技術取得了一定突破,應用需求巨大。IGBT芯片技術方面,中國南車建成全球第二條、國內首條8英寸IGBT芯片專業(yè)生產線,去年成功實現(xiàn)首批8英寸1700VIGBT芯片下線,8英寸3300V芯片已完成試制與測試,6500V芯片已研發(fā)出合格樣品。IGBT模塊技術方面,封裝IGBT模塊所用芯片大多由國外公司提供,國產IGBT芯片年產值不到1億元。但我國卻是全球最大的功率半導體消費市場,市場潛力巨大。

在謝超英看來,我國IGBT產業(yè)發(fā)展制約因素較多,亟待突破。一是沒有形成創(chuàng)新體系,二是缺乏完整的生產線,三是配套產業(yè)薄弱,關鍵材料的國產化已成為我國IGBT產業(yè)快速發(fā)展的一大制約因素。

出臺扶持政策加快產業(yè)化

IGBT作為電能變換的關鍵部件,是現(xiàn)代科學、工業(yè)和國防的重要核心技術。為盡快改變我國功率半導體芯片基本依賴進口的局面,謝超英建議國家出臺扶持政策,依托國內優(yōu)勢企業(yè),通過示范和引導,大力推進我國IGBT產業(yè)化并形成規(guī)模優(yōu)勢。

一是設立國家重大科技專項支持IGBT技術研發(fā)與產業(yè)化。建議設置功率半導體重大專項,支持IGBT等功率器件技術升級與產業(yè)拓展。探索IGBT研發(fā)與產業(yè)化的“后補助”政策,通過“事前申報、事后認定”的方式給予IGBT科技創(chuàng)新主體經(jīng)費補助,推進IGBT技術的持續(xù)創(chuàng)新,加速科技成果產業(yè)化。

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