AnalogDevices,Inc.(ADI)日前推出了一款專門用于9KHz至13GHz頻段的吸收式單刀雙擲(SPDT)開關HMC1118LP3DE，它具有48dB的高隔離度，在8GHz條件下運行時僅有0.6dB的低插入損耗。HMC1118LP3DE是ADI公司的新型RF和微波控制產(chǎn)品組合中的第一款產(chǎn)品，展現(xiàn)了硅工藝技術(shù)的固有優(yōu)勢，與傳統(tǒng)的GaAs(砷化鎵)RF開關相比具有重大明顯優(yōu)勢。這些優(yōu)勢包括：建立時間比GaAs快100倍;提供強大的ESD(靜電放電)保護(達到2000V，而GaAs僅為250V);能夠擴展開關的低頻端，比GaAs低1000倍，同時保持高線性度。
HMC1118LP3DE還提供4W的業(yè)界領先RF功率處理能力，在熱切換工作模式下達到0.5W。它的熱切換功率處理能力超出了具有相同RF帶寬的競爭器件的兩倍，這使工程師能夠在他們的應用和系統(tǒng)中提高RF功率，而不會產(chǎn)生器件損壞的風險。HMC1118LP3DE專為高隔離度進行了優(yōu)化，在最大13GHz的寬工作頻率范圍內(nèi)提供極其平坦的傳遞特性，同時保持最低9kHz的高信號保真度。這些特性組合在一起，使得該開關非常適合要求苛刻的測試和測量、自動化測試設備、國防電子產(chǎn)品、無線通信應用，充當傳統(tǒng)GaAs開關的更低成本替代產(chǎn)品。
HMC1118LP3DESPDT開關的主要特性
•非反射式50歐姆設計
•正控制：0/+3.3V
•低插入損耗：0.68dB(8GHz時)
•高隔離度：50dB(8GHz時)
•9KHz的低截止頻率
•7.5微秒的快速建立時間(對于0.05dB的最終RF輸出電平)
•業(yè)界領先的高功率處理能力：
•35.5dBm的通過路徑
•27dBm端接路徑和熱切換應用
•高線性度：
•P1dB：+37dBm(典型值)
•IIP3：+61dBm(典型值)
•ESD額定值：2-KVHBM
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