推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ONSemiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，針對數(shù)據(jù)網絡、電信和工業(yè)應用推出新的高能效單N溝道功率MOSFET系列，進一步擴大其寬廣的產品陣容。
這些器件能提供低得令人難以置信的導通電阻RDS(on)值，從而將導通損耗降至最低并提升整體工作能效水平。它們還有低至2164皮法(pF)的門極電容(Ciss)，確保保持盡可能低的驅動損耗。
安森美半導體新的NTMFS5C404NLT、NTMFS5C410NLT和NTMFS5C442NLTMOSFET額定擊穿電壓為40伏(V)，最大導通電阻值(Vgs為10V時)分別為0.74毫歐(m?)、0.9m?和2.8m?，連續(xù)漏電流分別為352安(A)、315A和127A。與這些器件相輔相成的NTMFS5C604NL、NTMFS5C612NL和NTMFS5C646NL，額定擊穿電壓60V，最高導通電阻分別為1.2m?、1.5m?和4.7m?，而相關的連續(xù)漏電流為287A、235A和93A。40V和60V的這兩種器件的額定工作結溫都高達175?C，從而為工程師的設計提供更大的熱余裕。安森美半導體將推出采用更多的電阻值和不同的封裝，如micro8FL、DPAK和TO220來擴大此產品線。
安森美半導體功率分立產品副總裁兼總經理PaulLeonard說：“OEM的工程團隊不斷致力于創(chuàng)建更高能效的電力系統(tǒng)設計，同時占用更少用板空間。我們新加的器件擴大了我們廣泛的功率MOSFET產品陣容，為客戶提供高性能的器件，采用緊湊的、高熱能效的封裝，幫助他們達到更高能效的設計目標。”
封裝和定價
NTMFS5C404NL、NTMFS5C410NL、NTMFS5C442NL、NTMFS5C604NL、NTMFS5C612NL和NTMFS5C646NL都采用緊湊的、符合RoHS的SO8FL(DFN-8)封裝，每10,000片批量的單價從0.42美元起。
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