Vishay持續(xù)擴(kuò)充其高性能的表面貼裝聚合物鉭式電容器T55系列

時(shí)間:2015-07-09

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導(dǎo)語:日前,VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代號(hào):VSH)宣布,持續(xù)擴(kuò)充其vPolyTan的T55系列表面貼裝聚合物鉭式電容器家族產(chǎn)品,陸續(xù)推出A、B和T(低高度B外形的最大高度為1.2mm)外形尺寸,有8種新性能規(guī)格的該系列器件。

日前,VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代號(hào):VSH)宣布,持續(xù)擴(kuò)充其vPolyTan的T55系列表面貼裝聚合物鉭式電容器家族產(chǎn)品,陸續(xù)推出A、B和T(低高度B外形的最大高度為1.2mm)外形尺寸,有8種新性能規(guī)格的該系列器件。VishayPolytechT55系列充分利用Vishay領(lǐng)先的封裝技術(shù)和近期在鉭聚合物技術(shù)上的投入成果,電容顯著提高,ESR大大降低,可用于計(jì)算機(jī)、通信和工業(yè)應(yīng)用。

2.5V電壓下,B外形電容器的電容高達(dá)470μF,ESR為25mΩ,電容為330μF的電容器的ESR也較低,為25mΩ。6.3V電壓下,A和T外形尺寸的器件改善了ESR,100μF器件的ESR為70mΩ,33μF和220μF的B外形器件的ESR分別為40mΩ和35mΩ。10V電壓時(shí),47μF的B外形尺寸器件的ESR低至70mΩ。

T55電容器的低ESR要?dú)w功于其聚合物負(fù)極,這種負(fù)極使電容器的性能遠(yuǎn)優(yōu)于采用二氧化錳材料的器件。另外,這些器件具有高達(dá)2.28AIRMS的紋波電流和低內(nèi)阻,可提高充電和放電特性。電容器適用于計(jì)算機(jī)、平板電腦、智能手機(jī)、無線數(shù)據(jù)卡和固態(tài)硬盤里的電源管理、電池解耦和儲(chǔ)能。

T55系列有J、P、A、B和T等5種小外形尺寸,電容從3.3μF到470μF,電壓等級(jí)從2.5V到10V,電容公差為±20%。器件在+25℃和100kHz下具有500mΩ~25mΩ的超低ESR,可在-55℃~+105℃溫度范圍內(nèi)工作,溫度超過+85℃時(shí)需要電壓降額。

T55系列電容器采用無鉛端接,符合RoHS和Vishay綠色標(biāo)準(zhǔn),無鹵素。器件適合高速自動(dòng)拾放設(shè)備,潮濕敏感度等級(jí)(MSL)為3。

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