納米線能否再次革新LED技術(shù)?

時間:2015-07-17

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導(dǎo)語:納米線大小約僅2微米高(μm;1μm是1/1000毫米),直徑約10-500納米(nm,1nm約1/1000μm)。專為LED用的納米線是由內(nèi)部的氮化鎵(GaN)核心以及外層氮化鎵銦(InGaN)所組成,二者都是半導(dǎo)體材料。

根據(jù)丹麥哥本哈根大學(xué)(UniversityofCopenhagen)玻爾研究所(NielsBohrInstitute;NBI)的研究證實,采用納米線制成的LED只需使用更少的能源,就能提供更明亮的光源。

研究人員深入研究了利用X射線顯微術(shù)的納米線,透過這種方法,研究人員們能夠確定如何設(shè)計納米線使其得以提供最佳性能。這項研究結(jié)果發(fā)表在《ACSNano》科學(xué)期刊。

納米線大小約僅2微米高(μm;1μm是1/1000毫米),直徑約10-500納米(nm,1nm約1/1000μm)。專為LED用的納米線是由內(nèi)部的氮化鎵(GaN)核心以及外層氮化鎵銦(InGaN)所組成,二者都是半導(dǎo)體材料。

這種二極管的光源有賴于存在兩種材料之間的機械應(yīng)變,而這種應(yīng)變則大幅取決于兩種材料層之間如何彼此接觸。丹麥哥本哈根大學(xué)教授兼玻爾研究所所長RobertFeidenhansl解釋,我們研究了多種采用X射線顯微術(shù)的納米線,甚至是原則上相同的納米線,我們可以看到其間的差異及其相當(dāng)不同的結(jié)構(gòu)。

相關(guān)的研究是在位于德國漢堡的“德國電子同步加速器研究所”(DESY)電子同步加速器中利用納米級X射線顯微術(shù)進行。雖然這種方法相當(dāng)耗時,而且結(jié)果通常十分有限或甚至僅能滿足單一研究主題。然而,利用納米級X射線的特殊設(shè)計,可使納米線在過程中不至于被破壞,從而使研究人員得以順利地同時測量一系列的納米線。

每個納米線的X射線影像顯示散射強度的分布,以及在氮化鎵核心與氮化鎵銦外層的機械應(yīng)變。根據(jù)這種應(yīng)變顯示外層與核心完美契合。

“我們測量了20種納米線,而當(dāng)我們看到影像時都非常訝異,因為你可以清楚地看到每一種納米線的細節(jié),包括核心與外層這兩種結(jié)構(gòu)。如果結(jié)構(gòu)中有任何缺陷或略微彎曲,就無法正常運作。所以,我們可以準(zhǔn)確地找出哪些是最優(yōu)質(zhì)的納米線,而且具有最高效率的核心/外殼結(jié)構(gòu),”哥本哈根大學(xué)玻爾研究所“中子與X射線散射”研究小組的博士生TomasStankevic解釋。

RobertFeidenhans’l則表示,納米線將為LED帶來更自然的光源,而且還將使用更低的功耗。此外,它們還可以應(yīng)用于智能手機、電視機以及各種形式的照明中。

研究人員預(yù)計,這種納米線LED照明可五年內(nèi)實現(xiàn)商用化。

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