中國，2015年12月23日——意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）針對汽車市場推出了新系列高壓N溝道功率MOSFET。新產品通過AEC-Q101汽車測試認證，采用意法半導體最先進、內置快速恢復二極管的MDmeshTMDM2超結制造工藝，擊穿電壓范圍為400V至650V，可提供D2PAK、TO-220及TO-247三種封裝。
400V和500V兩款新產品是市場上同級產品中首個獲得AEC-Q101認證的功率MOSFET，而600V和650V產品性能則高于現有競爭產品。全系列產品專為汽車應用設計，內部集成快速恢復體二極管（fastbodydiode）、恢復軟度系數更高的換向行為（commutationbehavior）和背對背柵源齊納（gate-sourcezener）二極管保護功能，是全橋零壓開關拓撲的理想選擇。
意法半導體的新功率MOSFET是汽車市場上Trr（反向恢復時間）/Qrr（反向恢復電荷）比和恢復軟度系數表現最好的功率MOSFET，同時也擁有最出色的高電流關斷能量（Eoff），有助于提高汽車電源能效。此外，內部快速體二極管的性能表現亦十分出色，有助于降低EMI電磁干擾，讓設計人員能夠使用尺寸更小的被動濾波器件。MDmeshTMDM2技術通過這種方式讓電源設計變得更環(huán)保、能耗更低，從而使能效最大化、終端產品的尺寸最小化。
意法半導體的新款車用功率MOSFET擁有以下主要特性：
●快速恢復體二極管
●極低的柵電荷量及輸入電容，500VD2PAK產品的柵電荷量及輸入電容分別為44nC和1850pF
●低導通電阻
●最短的Trr（反向恢復時間）：600VTO-247在28A時是120ns；650VTO-247在48A時是135ns
●柵源齊納二極管保護
欲了解更多產品詳情，請瀏覽：www.st.com/mdmeshdm2
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意法半導體（STMicroelectronics;ST）是全球領先的半導體公司，提供創(chuàng)新先進的產品及解決方案，為人們帶來更智能且具有更高能效的電子產品，提升日常生活的便利性。意法半導體的產品無處不在，致力于與客戶共同努力實現智能駕駛、智能工廠、智能城市和智能家居，以及下一代移動和物聯網產品。意法半導體主張智能科技引領智慧生活（life.augmented）的理念。
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