作為與“德國工業(yè)4.0”的對標，《中國制造2025》對我國制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級和跨越發(fā)展作了整體部署，提出了我國制造業(yè)由大變強“三步走”戰(zhàn)略目標，明確了建設制造強國的戰(zhàn)略任務和重點，是我國實施制造強國戰(zhàn)略的第一個十年行動綱領。

為了確保用十年的時間，到2025年，邁入制造強國行列，必須堅持整體推進、重點突破。《中國制造2025》圍繞經(jīng)濟社會發(fā)展和國家安全重大需求，選擇10大優(yōu)勢和戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)作為突破點，力爭到2025年達到國際領先地位或國際先進水平。十大重點領域是：新一代信息技術產(chǎn)業(yè)、高檔數(shù)控機床和機器人、航空航天裝備、海洋工程裝備及高技術船舶、先進軌道交通裝備、節(jié)能與新能源汽車、電力裝備、農(nóng)業(yè)裝備、新材料、生物醫(yī)藥及高性能醫(yī)療器械。

為指明十大重點領域的發(fā)展趨勢、發(fā)展重點，引導企業(yè)的創(chuàng)新活動，國家制造強國建設戰(zhàn)略咨詢委員會特組織編制了這些領域的技術路線圖，匯總成冊，稱為“《中國制造2025》重點領域技術路線圖”。

電力電子作為現(xiàn)代能源變換的核心部件和關鍵技術，在傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級、節(jié)能與新能源、國防安全以及國計民生各個方面均發(fā)揮著不可替代的作用。因此在《中國制造2025》中，電力電子也被正式作為發(fā)展重點。在最近發(fā)布的“《中國制造2025》重點領域技術路線圖”中，電力電子的內(nèi)容主要體現(xiàn)在以下章節(jié)：

五、先進軌道交通裝備

5.1先進軌道交通裝備

5.1.3發(fā)展重點

2.關鍵零部件

(1)功率半導體器件。重點突破硅基IGBT、MOSFET等先進的功率半導體器件芯片的技術瓶頸，推進國產(chǎn)硅基器件的應用和產(chǎn)業(yè)發(fā)展;推進碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等下一代功率半導體器件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。

(2)動力型超級電容器件。研制12000F、3.0V、10Wh/kg、100萬次充放的大功率、高能量、長壽命、高安全、免維護超級電容單元器件，推進城市公共交通儲能式電力牽引技術產(chǎn)業(yè)化。

3.關鍵共性技術

(3)電傳動系統(tǒng)技術。完成碳化硅電力電子器件的研發(fā)與應用，推進饋能式雙向變流技術的應用;推廣永磁電機驅(qū)動技術與無齒輪直驅(qū)技術。

(4)儲能與節(jié)能技術。加快大能量密度的超級電容的研制，利用超級電容優(yōu)異的充放電性能，實現(xiàn)有軌電車、無軌電車全線無供電網(wǎng)運營和能量可循環(huán)利用運營。

九、新材料

9.2關鍵戰(zhàn)略材料

9.2.3發(fā)展重點

8.先進半導體材料

(1)第三代半導體單晶襯底

6-8英寸SiC、4-6英寸GaN、2-3英寸AlN單晶襯底制備技術;可生產(chǎn)大尺寸、高質(zhì)量第三代半導體單晶襯底的國產(chǎn)化裝備。

(2)第三代半導體光電子器件、模塊及應用

200lm/W以上光效的LED外延和芯片制備技術;50mW以上AlGaN基紫外LED。

(3)第三代半導體電力電子器件、模塊及應用

15kV以上SiC電力電子器件制備關鍵技術;高質(zhì)量、低成本GaN電力電子器件的設計與制備;在高壓電網(wǎng)、高速軌道交通、消費類電子產(chǎn)品、新能源汽車、新一代通用電源等領域的應用。

我們欣喜地看到，電力電子在事關國家戰(zhàn)略的綱領性文件中被明確作為發(fā)展重點，這與近些年來業(yè)界專家積極建言獻策以及電力電子產(chǎn)業(yè)取得長足發(fā)展密不可分。但同時，我們也應該清醒地認識到：相較于集成電路，電力電子在文件中份量仍很輕。在“一、新一代信息技術產(chǎn)業(yè)”一章中，“1.1集成電路及專用設備”是作為專門的一節(jié)重點闡述的，而電力電子的內(nèi)容卻分散于幾個章節(jié)，沒有給予系統(tǒng)支持。

在11月6日于重慶召開的“中國電器工業(yè)協(xié)會電力電子分會2015年年會暨七屆二次理事會議”上，分會常務副理事長、中國IGBT技術創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟秘書長、中國寬禁帶功率半導體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟秘書長肖向鋒先生表示：“電力電子的內(nèi)容分散于文件的好幾個章節(jié)，看似哪兒都需要電力電子，但實際上沒有像集成電路那樣得到系統(tǒng)支持，這不利于形成合力。同時，支持的重點在軌道交通領域用的IGBT、MOSFET等電力電子器件，只是整個產(chǎn)業(yè)非常小的一部分，不到5%。”

不過，肖秘書長也認為，電力電子被納入《中國制造2025》發(fā)展重點是很好的機遇，況且在重點發(fā)展的十大領域中大多數(shù)也需要電力電子，因此，業(yè)界同仁應抓住機遇，堅持“以人為本、創(chuàng)新驅(qū)動、結(jié)構優(yōu)化、轉(zhuǎn)型升級、以質(zhì)取勝、綠色發(fā)展”的思路，共同將電力電子產(chǎn)業(yè)做大做強，為實現(xiàn)“中國制造2025”的戰(zhàn)略目標貢獻自己的一份力量。

嘉興斯達半導體股份有限公司首席執(zhí)行官沈華博士也認為，國家政策支持對于電力電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展非常重要，但同時“打鐵還需自身硬”，電力電子企業(yè)要練好內(nèi)功，才能適應市場的發(fā)展。斯達半導體將繼續(xù)加大研發(fā)投入在國家重點支持的技術領域?qū)崿F(xiàn)突破，同時更為重要的是將已有產(chǎn)品做到極致，滿足客戶更高需求，為客戶創(chuàng)造更大價值。比如，要將用于電動車的600VIGBT模塊做好，并不比做4500V軌道交通用IGBT容易。因為電壓雖不大，但芯片非常薄，工藝要求實際上非常高。

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