前天武漢新芯正式啟動總投資達240億美元的存儲芯片項目，這意味著經過一年多的規(guī)劃中國正式加入這一市場，力圖打造自己的存儲芯片產業(yè)，改變對國外存儲芯片的依賴。

中國成為全球最大存儲芯片采購國

中國的聯(lián)想是全球最大的PC企業(yè)，中國的手機品牌華為、小米、聯(lián)想是全球前五大手機企業(yè)，消耗了全球大量的存儲芯片。特別是中國的手機品牌成長快速，2015年的市場份額超過40%，今年的市場份額有望達到45%，這推動中國采購的存儲芯片份額將進一步上升。

2014年中國采購了全球約兩成的存儲芯片，采購金額高達100億美元，2015年前十個月采購的存儲芯片金額已經達到120億美元預計全年采購金額超過140億美元占全球存儲芯片市場的份額提升到約三成，不過目前中國主要依靠向國外采購存儲芯片。

中國制造正致力于在向高端制造業(yè)爬升，芯片居于制造業(yè)的上游是高端制造業(yè)的關鍵，因此中國在2014年成立了集成電路產業(yè)基金推動國內的芯片產業(yè)發(fā)展，并已在處理器、半導體制造方面投資了華為海思、紫光、中芯國際等企業(yè)，存儲芯片產業(yè)則成為又一個備受關注的投資方向。

DRAM市場韓國獨大

據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)，2015年四季度三星、SK海力士和美光分別以46.4%、27.9%、18.9%的市場份額位居前三強，共同占有全球DRAM市場份額超過九成的市場份額，而韓國企業(yè)三星和SK海力士更以近四分三的市場份額占據(jù)絕對優(yōu)勢的市場份額。而早期曾經是DRAM市場一強的中國臺灣企業(yè)南亞科、華邦、力晶占有的市場份額僅剩下5.6|%的市場份額。

在工藝上韓國企業(yè)同樣占有優(yōu)勢，三星目前工藝領先，其早已轉入20nm工藝，目前其在這一工藝上良率優(yōu)于其他競爭對手，在總體產能比重中逐漸上升，其計劃今年中引入18nm工藝，進一步降低其生產成本。

SK海力士去年8月其號稱全球最大的半導體工廠“M14”竣工，成為去年新增產能最多的DRAM企業(yè)，去年四季度引入21nm工藝，這將有望進一步提升其在DRAM市場的份額。

美光在去年四季度開始采用20nm工藝生產DRAM不過目前良率不如三星，預計今年會采用16nm工藝生產DRAM。最讓美光受鼓舞的是，Intel這個半導體巨頭回歸DRAM市場（其早年是DRAM市場一強，后來被日本企業(yè)擊敗于是退出了這個市場）選擇與美光合資，這將有助于美光增強其與韓國企業(yè)的競爭實力。

中國改變對國外存儲芯片的依賴需要時間

武漢新芯成立于2006年，已建成12寸晶圓廠，早期曾由中國最大的半導體工廠中芯國際托管，到了2013年與中芯國際脫離關系獨立發(fā)展，其日前開始啟動存儲芯片工廠項目意味著其成為中國唯一以存儲芯片為主的半導體制造企業(yè)。

為保證該項目的順利發(fā)展，去年新芯從中國臺灣挖來臺灣DRAM廠茂德技術發(fā)展暨產品本部兼大中華事業(yè)部副總裁趙海軍，藉由他在臺灣的人脈關系尋找更多的的存儲芯片人才，這與其他大陸半導體企業(yè)的發(fā)展類似，在缺乏技術人才的時候紛紛從中國臺灣挖取相關的技術專才以助力技術研發(fā)，液晶企業(yè)華星光電、處理器設計企業(yè)展訊等俱是如此，中國臺灣的液晶面板、半導體等高科技制造業(yè)由于與韓國競爭處于下風其相關人才也確實需要尋找新出路，這讓大陸和臺灣合作形成了共贏。

不過要真正形成與韓國和美國存儲企業(yè)競爭的實力尚需要時間，武漢新芯目前才開始動工建設，預計到2020年能形成30萬片的生產規(guī)模。在生產工藝方面，武漢新芯目前采用45納米鏡像NOR閃存和65納米浮門NOR閃存，其表示正在開發(fā)20nm工藝，這與目前存儲芯片企業(yè)前三強的差距相當大。

中國最大的優(yōu)勢是其是全球最大的市場，這龐大的市場除了對高端的存儲芯片有需求外，對中低端存儲芯片同樣的有龐大的需求，即使武漢新芯只是在中低端市場獲得部分市場份額也足以讓其持續(xù)良性發(fā)展，加上國家不斷的扶持投入再逐漸往更高階的存儲芯片爬升，這也正是韓國存儲芯片產業(yè)發(fā)展的路徑。

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