華燦光電周五午間公告稱，其擬以公司或全資子公司出資不超過人民幣300萬元，與公司股東JingTianCapitalILimited、JingTianCapitalIILimited的實際控制方IDG資本所管理的基金、科沃斯機(jī)器人有限公司等投資方共同參與北醒(北京)光子科技有限公司的增資，其中計入其資本公積299.49萬元、計入其新增注冊資本5135.49元，占其增資后總注冊資本的3.75%。
北醒光子目前主要從事機(jī)器人領(lǐng)域雷達(dá)相關(guān)軟硬件產(chǎn)品的研發(fā)與銷售。公告稱，華燦光電此舉旨在拓展公司在第三代半導(dǎo)體各應(yīng)用方向的發(fā)展空間、擴(kuò)大公司產(chǎn)品新的應(yīng)用領(lǐng)域。
北醒光子是一家從事機(jī)器視覺的高科技公司，曾獲得紐約區(qū)“春暉杯”，后公司入住清華啟迪科技園。公司初創(chuàng)團(tuán)隊由來自歐洲和美國的工程師和科學(xué)家組成，產(chǎn)品的水準(zhǔn)具備國際水平。目前主要從事紅外環(huán)境雷達(dá)DE(采用激光雷達(dá)的TOF技術(shù))的設(shè)計和制造，用于無人機(jī)和機(jī)器人的避障、路徑規(guī)劃、以及RGBD視覺識別。
第三代半導(dǎo)體材料，究竟蘊(yùn)含著怎樣的產(chǎn)業(yè)高度？
與第一二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度，更高的擊穿電場，更高的熱導(dǎo)率，更高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料(禁帶寬度大于2.2電子伏特)，亦被稱為高溫半導(dǎo)體材料。
在能量密度上第三代半導(dǎo)體材料有很大的優(yōu)勢，能夠?qū)崿F(xiàn)高輸出與高頻率，在更小的體積中實現(xiàn)更高的能量。在電子掃描陣列雷達(dá)中，在使用GaN的條件下，在同樣的區(qū)域內(nèi)GaN掃描達(dá)到GaAs速度的5倍，或者在同樣的速度下，其掃描面積比GaAS大50%。在使用GaN的情況下，雷達(dá)可以在體積縮減到一半的情況下實現(xiàn)更高的掃描效率。
美國在第三代半導(dǎo)體技術(shù)與研發(fā)方面的發(fā)展進(jìn)步主要用于支持新一代AESA(ActiveElectronicallyScannedArray)雷達(dá)、新型電子戰(zhàn)系統(tǒng)和商業(yè)應(yīng)用。
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