富士電機(jī)開發(fā)出了用于純電動(dòng)汽車（EV）、混合動(dòng)力汽車（HEV）等電動(dòng)汽車的IGBT模塊的新產(chǎn)品。與采用上代產(chǎn)品技術(shù)時(shí)相比，尺寸減小了50％，重量減輕了60％，而功率密度達(dá)到原來的約2倍，該公司稱，這是業(yè)內(nèi)最高水平。新產(chǎn)品的額定電壓為750V，額定電流為800A，最高工作溫度為175℃。外形尺寸為162mm×117mm×24mm，重560g?，F(xiàn)在正在供應(yīng)樣品，將于2016年11月量產(chǎn)。
此次的產(chǎn)品是富士電機(jī)的車用IGBT模塊的第3代產(chǎn)品。與第2代產(chǎn)品一樣，采用“直接水冷方式”。
普通水冷方式的IGBT模塊是將IGBT芯片安裝在絕緣基板上，在絕緣基板下面配置作為基板的金屬板，再在其下配置散熱片。金屬板與散熱片通過散熱膏接合。而直接水冷方式將基板和散熱片融為一體，用水冷卻。由于沒有散熱膏，因此可以降低熱阻。
第3代產(chǎn)品主要在兩方面進(jìn)行了改進(jìn)，從而實(shí)現(xiàn)了小型輕量化。一是改進(jìn)冷卻機(jī)構(gòu)。將冷卻風(fēng)扇的材料由原來的銅換成鋁，并變了冷卻片的形狀和配置。另外，在IGBT模塊的冷卻片一側(cè)安裝了流水的“水套”。通過改進(jìn)水套的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，提高了冷卻性能。
另一項(xiàng)改進(jìn)是采用了將IGBT和二極管集成在一個(gè)芯片上的“RC-IGBT”。與分別單獨(dú)配置IGBT和二極管時(shí)相比，可以減小功率元件的芯片面積。IGBT部分采用了富士電機(jī)最新的第7代產(chǎn)品。
第2代產(chǎn)品是“14in1”模塊，為控制兩個(gè)馬達(dá)而配備了14個(gè)IGBT芯片。每個(gè)馬達(dá)用6個(gè)，升壓用2個(gè)。而此次的第三代產(chǎn)品是控制一個(gè)馬達(dá)的“6in1”模塊。
另外，富士電機(jī)已在“PCIMEurope2016”上公布了此次的新產(chǎn)品，據(jù)說采用了新一代直接水冷方式的功率模塊。
網(wǎng)站客服
粵公網(wǎng)安備 44030402000946號(hào)