2008慕尼黑電子展 嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體強(qiáng)勢(shì)出擊

時(shí)間:2008-10-24

來(lái)源:嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體有限公司

導(dǎo)語(yǔ):一年一度的慕尼黑上海電子展和慕尼黑上海激光、光電展將于2008年3月18日在上海新國(guó)際博覽中心拉開(kāi)帷幕。

一年一度的慕尼黑上海電子展(electronica&ProductronicaChina)和慕尼黑上海激光、光電展(LASER.WorldofPhotonicsChina)將于2008年3月18日在上海新國(guó)際博覽中心拉開(kāi)帷幕,持續(xù)到20日結(jié)束。屆時(shí)來(lái)自國(guó)內(nèi)外的電子行業(yè)企業(yè)將盛裝亮相,展示行業(yè)新氣象,而界內(nèi)專家等也將出席同期舉行的研討會(huì)和高峰論壇,探索行業(yè)發(fā)展新路。 2008年對(duì)于中國(guó)來(lái)說(shuō)是非同尋常的一年,本屆慕尼黑上海電子展也順應(yīng)形勢(shì),將以更強(qiáng)大的聲勢(shì)、更特別的展出、更專業(yè)的聲音登場(chǎng)。 [align=center] 嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體強(qiáng)勢(shì)出擊[/align]
在展臺(tái)上,斯達(dá)半導(dǎo)體公司展出了公司兩大系列產(chǎn)品,IGBT模塊和MOSFET模塊。據(jù)工作人員介紹,斯達(dá)半導(dǎo)體的IGBT模塊按照耐壓等級(jí)分為600V,1200V和1700V三個(gè)系列,在每個(gè)系列里面又按照模塊內(nèi)部的電路結(jié)構(gòu)分成若干部分,每一種電路結(jié)構(gòu)下面有若干電流等級(jí)的產(chǎn)品。斯達(dá)半導(dǎo)體的MOSFET模塊按照電路結(jié)構(gòu)分為單開(kāi)關(guān)、斬波器、半橋、全橋和三相橋等系列,每一種電路結(jié)構(gòu)下面有若干電壓電流等級(jí)的產(chǎn)品。
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