智能手機(jī)的銷售減緩加上摩爾定律的瓶頸，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展之路似乎并不順暢，未來，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級之后，運(yùn)算能力將不再是最終目標(biāo)。據(jù)悉，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對于新制程節(jié)點(diǎn)可以提供的功耗、效能和成本改善的認(rèn)知，在22納米制程之后而出現(xiàn)變化，由于需使用多重曝光和鰭式電晶體(FinFET)，導(dǎo)致設(shè)計與制造成本不斷增加。

而大環(huán)境出現(xiàn)變化，電腦從大型主機(jī)、桌上型電腦、筆電一路演化至智能手機(jī)和平板，之后卻出現(xiàn)斷層，缺少獨(dú)霸市場的單一裝置，反而增加許多垂直市場的客制化解決方案。

據(jù)報導(dǎo)，半導(dǎo)體業(yè)者在進(jìn)入10納米制程之后再度面臨靜態(tài)功耗的問題，不僅需要更多色彩和圖像層，芯片的設(shè)計和制造也比以往費(fèi)時。動態(tài)功率密度和靜態(tài)功耗引起的過熱問題也隨著節(jié)點(diǎn)增加而惡化，并且更難預(yù)測和驗(yàn)證。

業(yè)者必須提高芯片的銷售量，投資成本才可能回收。然而大環(huán)境卻走向客制化，不僅無法以單一設(shè)計套用至幾十億裝置上，設(shè)計和技術(shù)的再使用率和通用性也隨之減少，盡管設(shè)計程序變得更復(fù)雜、芯片總數(shù)持續(xù)成長，但每一種設(shè)計的生產(chǎn)數(shù)量卻出現(xiàn)下滑。

新思科技(Synopsys)執(zhí)行長兼董事長AartdeGeus表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)過去有兩個主要階段，第一是運(yùn)算，殺手級應(yīng)用為個人電腦以及之后的網(wǎng)路、服務(wù)器和云端；第二則是移動，智能型手機(jī)成為大量應(yīng)用程式的平臺。

這兩個階段對于技術(shù)開發(fā)有極大的影響力，但成長率已經(jīng)大不如前。Geus預(yù)測，大概還需要好幾年時間才能看出半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型后的經(jīng)濟(jì)效益。

除了大環(huán)境的轉(zhuǎn)變，半導(dǎo)體技術(shù)本身，像是新工具、材料、方法、標(biāo)準(zhǔn)，以及制作和封裝芯片的方法，也面臨轉(zhuǎn)型。其中一項(xiàng)便是由NextGenerationMobileNetworks群組制定5G無線傳輸規(guī)格，可提升網(wǎng)路下載速度至10Gbps，延遲小于1毫秒。

英特爾(Intel)認(rèn)為，5G可以打開網(wǎng)路功能虛擬化(NFV)和軟件定義網(wǎng)路(SDN)的大門，高通(Qualcomm)則看好5G可以帶動新服務(wù)、連結(jié)新產(chǎn)業(yè)和裝置并改變使用者經(jīng)驗(yàn)。

除了數(shù)據(jù)傳輸外，數(shù)據(jù)儲存也開始出現(xiàn)新技術(shù)，例如3DNANDFlash、高頻寬存儲器(HBM)、混合立方體存儲器(HMC)、磁阻式隨機(jī)存取存儲器和3DXPoint技術(shù)等。

另一塊拼圖則是封裝方式，雖然FinFET和環(huán)繞式FET可解決功耗問題并改善性能，但也相對增加設(shè)計和制造的困難度和成本。替代方案便是采用2.5D或是扇出型等先進(jìn)封裝技術(shù)，目前半導(dǎo)體業(yè)者正投入研究，希望找出最理想的封裝解決方案。

展望未來，半導(dǎo)體和系統(tǒng)層級的需求將會持續(xù)成長，安全性也會納入平行和垂直元件的設(shè)計。至于轉(zhuǎn)變最大的就是運(yùn)算能力將不再是最終目標(biāo)，因?yàn)檫\(yùn)算功能將逐漸分散到不同裝置上，并且跨越不同的網(wǎng)路、市場與地點(diǎn)。過去由元件性能驅(qū)動設(shè)計的情形，也將改為由終端市場需求驅(qū)動技術(shù)的設(shè)計。

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