國際半導(dǎo)體協(xié)會(huì)（SEMI）公布數(shù)據(jù)顯示，7月北美半導(dǎo)體設(shè)備訂單出貨比（B/B值）為1.05，并已連續(xù)8個(gè)月守穩(wěn)在1以上，表明全球晶圓代工廠與存儲(chǔ)器設(shè)備投資加快。另外，今年全球主要集成電路制造企業(yè)的資本支出呈正增長。機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)，今年全球集成電路產(chǎn)業(yè)或?qū)⒂|底回暖。

數(shù)據(jù)顯示，2016年至2017年，全球預(yù)計(jì)新建晶圓廠19座。其中，10座將建于我國，全球半導(dǎo)體產(chǎn)能正加速向我國轉(zhuǎn)移。機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)，到2019年，我國集成電路企業(yè)銷售額增速將維持在25%至30%。

存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出最高的領(lǐng)域，占整個(gè)行業(yè)的38%。存儲(chǔ)器作為我國集成電路支柱產(chǎn)業(yè)，目前主要依賴進(jìn)口。數(shù)據(jù)顯示，僅去年前三季度，我國采購了120億美元的DRAM和66.7億美元的NANDflash，分別占到全球消費(fèi)量的21.6%和29.1%。存儲(chǔ)器是我國半導(dǎo)體行業(yè)四大產(chǎn)品類型中自給率最低的一個(gè)，未來具有較大的發(fā)展空間。

目前，我國正斥巨資啟動(dòng)國家存儲(chǔ)器戰(zhàn)略。今年3月，總投資240億美元的存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目在武漢東湖高新區(qū)正式啟動(dòng)。據(jù)了解，這一存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目的主要產(chǎn)品為3DNAND，預(yù)計(jì)到2020年將形成月產(chǎn)能30萬片的生產(chǎn)規(guī)模，到2030年有望建成每月100萬片的產(chǎn)能。另外，紫光集團(tuán)已明確旗下紫光國芯為其存儲(chǔ)平臺(tái)，并已定增800億元用于存儲(chǔ)器戰(zhàn)略。但由于存儲(chǔ)器行業(yè)門檻高，我國在傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器領(lǐng)域很難短期內(nèi)趕超國外同行，所以新型存儲(chǔ)器將成為我國彎道超車的最佳選擇。

目前，存儲(chǔ)器市場的三大主流產(chǎn)品分別為DRAM、NANDFlash和NORFlash。不論是NAND還是DRAM，在成本和性能等方面都漸漸開始顯露疲態(tài)，因此各大存儲(chǔ)器龍頭均在積極發(fā)展新型存儲(chǔ)器。

研究認(rèn)為，在政策的大力支持下，國內(nèi)企業(yè)在存儲(chǔ)器領(lǐng)域取得了較大發(fā)展。在3DNAND方面，去年武漢新芯攜手Spansion已經(jīng)在存儲(chǔ)器研發(fā)上取得進(jìn)展，具有9層結(jié)構(gòu)的三維存儲(chǔ)器芯片下線；在PCM和RRAM等新型存儲(chǔ)器方面，國內(nèi)也有不少企業(yè)和科研單位進(jìn)行探索，目前我國新型存儲(chǔ)器的專利擁有數(shù)已大大超過DRAM和NAND，和國內(nèi)龍頭企業(yè)的差距相對(duì)來說也較小。

去年我國存儲(chǔ)器市場規(guī)模達(dá)到2842.7億元，市場份額達(dá)54.1%。隨著一系列扶持政策的加速落實(shí)，集成電路產(chǎn)業(yè)投資力度將逐年加大，存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)將迎來發(fā)展新機(jī)遇，耗材、裝備和封測等產(chǎn)業(yè)鏈上下游領(lǐng)域均有望受益。

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