9 月8日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，今日宣布公司新的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列，NGTB40N120FL3WG、 NGTB25N120FL3WG 和NGTB40N120L3WG獲2016年度“Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)”，這是由《今日電子》與21IC中國(guó)電子網(wǎng)聯(lián)合舉辦，于電子業(yè)備受認(rèn)同的確定高品質(zhì)產(chǎn)品的一個(gè)基準(zhǔn)。

這些1200伏特(V) IGBT利用安森美半導(dǎo)體專(zhuān)有的超場(chǎng)截止溝槽技術(shù)并符合現(xiàn)代開(kāi)關(guān)應(yīng)用的嚴(yán)格要求，如不間斷電源、太陽(yáng)能逆變器和焊接。它們能實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先行業(yè)的總開(kāi)關(guān)損耗(Ets)特點(diǎn)，顯著提升的性能部分歸因于極寬的高度觸發(fā)的場(chǎng)截止層及優(yōu)化的共同封裝二極管。

安森美半導(dǎo)體功率分立器件分部副總裁兼總經(jīng)理Asif Jakwani說(shuō)：“我們很高興公司新的超場(chǎng)截止1200 V IGBT獲得Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)，認(rèn)可了我們?yōu)榇蠊β书_(kāi)關(guān)系統(tǒng)在電源能效設(shè)立的新基準(zhǔn)。安森美半導(dǎo)體已投入可觀資金，利用我們專(zhuān)有的超場(chǎng)截止溝槽技術(shù)設(shè)計(jì)IGBT器件，完美地平衡VCEsat和Ets，降低開(kāi)關(guān)損耗，增強(qiáng)電源能效，提供強(qiáng)固工作和高性?xún)r(jià)比?！?/p>

每年的Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)項(xiàng)需通過(guò)專(zhuān)家評(píng)委會(huì)嚴(yán)格的評(píng)估和推薦程序鑒別一系列電源產(chǎn)品。評(píng)審提名產(chǎn)品的3個(gè)主要標(biāo)準(zhǔn)為：創(chuàng)新設(shè)計(jì)、性?xún)r(jià)比及技術(shù)突破。

關(guān)于安森美半導(dǎo)體

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)致力于推動(dòng)高能效電子的創(chuàng)新，使客戶(hù)能夠減少全球的能源使用。安森美半導(dǎo)體領(lǐng)先于供應(yīng)基于半導(dǎo)體的方案，提供全面的高能效電源管理、模擬、傳感器、邏輯、時(shí)序、互通互聯(lián)、分立、系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)及定制器件陣容。公司的產(chǎn)品幫助工程師解決他們?cè)谄?chē)、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、醫(yī)療、航空及國(guó)防應(yīng)用的獨(dú)特設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。公司運(yùn)營(yíng)敏銳、可靠、世界一流的供應(yīng)鏈及品質(zhì)項(xiàng)目，一套強(qiáng)有力的守法和道德規(guī)范計(jì)劃，及在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關(guān)鍵市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)包括制造廠、銷(xiāo)售辦事處及設(shè)計(jì)中心在內(nèi)的業(yè)務(wù)網(wǎng)絡(luò)。更多信息請(qǐng)?jiān)L問(wèn)http://www.onsemi.cn。

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