大陸存儲器產業(yè)逐步崛起 韓國廠商倍感壓力

時間:2016-11-24

來源:網(wǎng)絡轉載

導語:南韓兩大半導體廠Samsung與SKHynix共組半導體希望基金,資金規(guī)模約2000億韓元(約55億元新臺幣),顯示南韓亟欲凸顯且擴大其在全球記憶體市場的競爭力與影響力。

南韓兩大半導體廠Samsung與SKHynix共組半導體希望基金,資金規(guī)模約2000億韓元(約55億元新臺幣),顯示南韓亟欲凸顯且擴大其在全球記憶體市場的競爭力與影響力。

不過半導體希望基金規(guī)模不大,預期重點不在建置新廠、擴張產能,而是鎖定技術研發(fā),特別是DRAM、NANDFlash、行動記憶體、新興記憶體等產品的研發(fā)。

南韓半導體國家隊的成軍,主要是反映大陸記憶體即將崛起的壓力。記憶體行業(yè)已成為大陸投資的重要方向,企圖實現(xiàn)從無到有的局面。大陸記憶體產業(yè)奠定在當?shù)匦枨罂焖僭鲩L的基礎,以NANDFlash來說,由于行動裝置需求的快速增長及伺服器、資料中心的大量建置,大陸市場NANDFlash消耗量占全球的比重將于2017年達3成以上,2020年將超過4成。

預料大陸記憶體市場當前發(fā)展的4大主力,將由長江存儲(負責3DNANDFlash、DRAM生產)、武漢新芯(負責NORFlash、邏輯代工)擔綱重任,而福建晉華存儲器項目、合肥市存儲器項目也將有所發(fā)揮。

在國家積體電路大基金的牽線下,2016年7月紫光集團宣布收購武漢新芯50%以上股權,成立長江存儲技術公司,此舉將可避免重復投資,實現(xiàn)各方優(yōu)勢資源共享;而2016年底長江存儲將興建首座12寸廠,在Spansion技術授權下,最快2017年底生產自制32層堆疊3DNAND晶片,大陸終將順利擠進NANDFlash領域。

而長江存儲技術公司在DRAM領域的布局,則端視未來Mciron再整并完華亞科之后,是否與紫光建立策略聯(lián)盟,雙方將針對DRAM技術及產能進行合作;另外武漢新芯未來將專職NORFlash和邏輯代工業(yè)務,旗下12寸廠月產能約3萬片,其中有超過2萬片是生產NORFlash晶片。

福建晉華存儲器項目則是由晉華投資370億元人民幣建設存儲晶片晶圓廠,并由聯(lián)電提供技術方案,預計2018年9月形成月產6萬片12寸先進制程內存晶圓的生產規(guī)模。而合肥市存儲器項目,將由合肥市政府出資460億元人民幣,兆基科技提供技術方案,第一步是設計物聯(lián)網(wǎng)科技所需的低耗電DRAM晶片,最快2017年下半年開始投產。

大陸記憶體是集成電路4大產品類型中自給率最低的部分,預期大陸記憶體市場的進口替代空間龐大,而未來對岸記憶體勢力的崛起,勢必將改寫全球記憶體版圖的分布,讓目前掌握絕大市占率的韓廠備感威脅。

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