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2016年因?yàn)槠炫炐褪謾C(jī)GalaxyNote7全面召回，進(jìn)而停產(chǎn)的事件，讓韓國科技大廠三星原本陷入虧損數(shù)十億美元的情況。所幸，在半導(dǎo)體市場大好的浪頭上，讓三星不但逃過虧損危機(jī)，甚至還呈現(xiàn)大舉獲利的局面。

因此，三星為乘勝追擊，決定在半導(dǎo)體事業(yè)上增加投資力道。根據(jù)市場調(diào)查機(jī)構(gòu)的報(bào)告指出，三星2017年在半導(dǎo)體領(lǐng)域設(shè)備上的投資金額將比2016年成長11％，達(dá)到125億美元的規(guī)模，而2016年的設(shè)備投資金額為113億美元。

報(bào)告指出，2017年三星的投資項(xiàng)目，存儲器和系統(tǒng)LSI的投資比重為8：2左右。目前，三星正在韓國京畿道平澤市附近，興建世界最大規(guī)模的半導(dǎo)體生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)在2017年中完工后，投入3DNANDFlash存儲器的量產(chǎn)。

業(yè)界認(rèn)為，隨著物聯(lián)網(wǎng)市場的擴(kuò)大和高端數(shù)字設(shè)備的陸續(xù)問世，存儲器的需求將大幅增加。因此，三星也對半導(dǎo)體市場的未來發(fā)展看好，擴(kuò)大了投資的規(guī)模。

另外，韓國的另一家半導(dǎo)體大廠SK海力士，2017年將在設(shè)被上投資60億美元。這筆金額是全球第四大規(guī)模的投資，相較2016年的51．8億美元，增加約14％。市場分析認(rèn)為，繼2016年下半年開始，包括DRAM與Flash市場恢復(fù)成長的態(tài)勢之后，該公司就積極投入3DNANDFlash存儲器的市場，并將繼續(xù)擴(kuò)大投資規(guī)模。

預(yù)計(jì)，2017年SK海力士首先在京畿道利川的下一代DRAMM14生產(chǎn)線中，建立無塵室相關(guān)的基礎(chǔ)設(shè)施上投入資金。

至于，半導(dǎo)體龍頭的英特爾（intel），2017年則將在設(shè)備投資方面投入比2016年成長25％的金額，來到120億美元。英特爾2016年在設(shè)備上的投資金額也比2015年成長31％。事實(shí)上，英特爾從2016年開始，實(shí)施了高強(qiáng)度的體質(zhì)改善工程，并專注于服務(wù)器領(lǐng)域的相關(guān)產(chǎn)品開發(fā)。英特爾2016年總計(jì)在半導(dǎo)體研發(fā)部門投入了127．5億美元的資金，規(guī)模是三星的四倍還要多，成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資金額的龍頭。