存儲芯片作為半導(dǎo)體的基礎(chǔ)芯片，戰(zhàn)略意義重大。如今，在各大利好因素共同推動下，芯片國產(chǎn)化大勢所趨，中國存儲產(chǎn)業(yè)有望創(chuàng)建新陣營。

存儲芯片作為集成電路的三大品類之一，目前廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、消費電子、智能終端和固態(tài)存儲硬盤等領(lǐng)域，其銷售額占整個芯片產(chǎn)業(yè)的比重超過25%，反映了一個國家或地區(qū)的半導(dǎo)體發(fā)展水平。

目前，我國存儲芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展迎來三大利好。一方面，存量市場加速轉(zhuǎn)移，增量市場就在大陸。對于移動終端存量市場，大陸是全球最大的生產(chǎn)基地和消費市場，相配套的存儲芯片從美日臺韓向大陸轉(zhuǎn)移加速進行；其次，云存儲和物聯(lián)網(wǎng)是最大增量市場，大視頻時代流量爆發(fā)，而大陸是全球最大的數(shù)據(jù)生產(chǎn)國和消費國，云存儲芯片需求量快速爆發(fā)；此外，大陸擁有全球最優(yōu)秀的互聯(lián)網(wǎng)公司、終端品牌和電子產(chǎn)業(yè)鏈,有望引領(lǐng)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用端創(chuàng)新。

另一方面，壟斷競爭，三星做大，合作伙伴或可期。DRAM和NANDFlash兩種最主要存儲芯片CR4分別高達96%和82%，三星一家獨占46%和33%，在市場、技術(shù)和資本上逐漸獲得領(lǐng)先優(yōu)勢，其競爭對手如美光、海力士、閃迪等拓展新興市場意愿強烈，大陸存儲芯片產(chǎn)業(yè)可用市場和資金換技術(shù)，通過引進消化再創(chuàng)新掌握自己的核心技術(shù)。

與此同時，國內(nèi)存儲芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展還受到國家戰(zhàn)略、資本市場雙重支持。紫光和武漢新芯作為存儲芯片領(lǐng)域兩只重量級國家隊，2016年以來在國家和地方政府的支持下分別宣布將投資300億美元和240億美元，項目落地后有望開啟大陸存儲芯片行業(yè)的黃金發(fā)展期。

近期，長江存儲和中科院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3DNANDFlash存儲器研發(fā)項目取得新進展，向產(chǎn)業(yè)化道路邁出關(guān)鍵一步。業(yè)內(nèi)人士表示，國內(nèi)廠商積極開展存儲芯片相關(guān)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化工作，并取得了階段性進展。政策支持之下，隨著技術(shù)等逐漸成熟，行業(yè)發(fā)展將迎來拐點。

3月24日，從中國半導(dǎo)體協(xié)會主辦、賽迪顧問承辦的“2017中國半導(dǎo)體市場年會暨第六屆中國集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新大會”獲悉，2017年有望成為國產(chǎn)存儲器大規(guī)模主流化發(fā)展元年。此外，3DNANDFlash、DRAM是智能手機存儲芯片，中國企業(yè)一直缺席這兩個主要市場。從2017中國半導(dǎo)體市場年會獲悉，這一狀況有望改變。

據(jù)悉，目前國內(nèi)存儲器芯片主要參與者有三個，分別是湖北武漢的長江存儲、福建泉州的晉華存儲以及紫光集團。其中，長江存儲初期定位Flash產(chǎn)品，后期將擴展DRAM產(chǎn)品，晉華存儲項目定位DRAM產(chǎn)品。紫光集團除直接入股長江存儲外，還將在不同地點布局Flash、DRAM產(chǎn)品。

賽迪顧問人士透露，在兩年的準備期之后，2017年上述項目將進入實質(zhì)性項目建設(shè)階段。長江存儲目前是進展最快的一方，其本身在Flash領(lǐng)域已經(jīng)有較豐富的經(jīng)驗，有望率先量產(chǎn)。晉華項目已經(jīng)開工建設(shè)，項目運營由經(jīng)驗豐富的臺灣臺積電負責(zé)，技術(shù)則委托聯(lián)電進行開發(fā)。紫光集團目前在南京開工新建Flash產(chǎn)線。

面對國產(chǎn)存儲芯片的現(xiàn)狀，不少公司開始發(fā)力。以兆易創(chuàng)新為例，公司擬以發(fā)行股份及支付現(xiàn)金的方式收購北京矽成100%股權(quán)。北京矽成100%股權(quán)的交易價格暫定為65億元。公司表示，上市公司與標的公司均主要從事集成電路存儲芯片及其衍生產(chǎn)品的研發(fā)、技術(shù)支持和銷售，交易完成后可以形成良好的規(guī)模效應(yīng)。本次交易將為上市公司引進存儲芯片研發(fā)設(shè)計領(lǐng)域的優(yōu)秀研發(fā)人員以及國際化管理團隊，為上市公司國際化縱深發(fā)展注入動力。

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