在2017年快閃存儲器高峰會(FlashMemorySummit)上，可見各主要NANDFlash供應(yīng)商持續(xù)推出更新式存儲器芯片以期能主導(dǎo)競爭優(yōu)勢，幾乎各主要供應(yīng)商也都在談?wù)摵喕疐lash儲存系統(tǒng)內(nèi)建軟件的必要性，以減少應(yīng)用在資料中心時出現(xiàn)的延遲問題，以及試圖定義固態(tài)硬盤(SSD)全新尺寸標(biāo)準(zhǔn)，另值得注意的是，本屆大會上甚至連主要硬盤(HD)制造商，都已幾乎不在主題演說中提及硬盤相關(guān)技術(shù)資訊或發(fā)展趨勢。

根據(jù)科技網(wǎng)站EETimes報導(dǎo)，在本屆大會上，三星電子(SamsungElectronics)承諾將在2018年推出Tbit級芯片，東芝(Toshiba)也展示將于2018年出貨的96層768-Gbit芯片，美光(Micron)也介紹其512-Gbit芯片技術(shù)，這3家業(yè)者均表示，將提供每單元4位元的版本，但從這所有芯片的細(xì)節(jié)來看，仍均缺乏創(chuàng)建被視為秘密武器的大型NAND堆疊的技術(shù)。

對此東芝Flash業(yè)務(wù)資深人士JeffOshima指出，透過多個層創(chuàng)建均勻的孔以及從上至下取得可提供相同效能表現(xiàn)的存儲器單元，是最大的挑戰(zhàn)。因此如東芝是在堆疊的不同部位上采用不同的單元設(shè)計(jì)，該公司96層設(shè)計(jì)則是基于堆疊中的堆疊進(jìn)行。

不過，Oshima未就東芝采用多少不同的單元設(shè)計(jì)或堆疊進(jìn)行說明。另外Oshima也認(rèn)為，F(xiàn)lash硬盤在2018年將轉(zhuǎn)移至PCIeGen4，東芝計(jì)劃該公司2017年所有新硬盤都采3DNAND芯片技術(shù)，到了2018年所有硬盤的芯片最小單位為每單元3位元。

美光方面，雖然表示該公司512-Gbit芯片在每平方公厘Gbits的密度表現(xiàn)上，較該公司兩大主要競爭對手的技術(shù)高出16~20%，不過美光未提供其芯片大小，或何時該公司將支持每單元4位元技術(shù)水準(zhǔn)的時間表。

本屆大會上，也可見主要供應(yīng)商試圖定義最佳的固態(tài)硬盤(SSD)新尺寸標(biāo)準(zhǔn)，以讓盡可能多的Flash可安裝至資料中心機(jī)架安裝系統(tǒng)中，如三星展示，該公司所推出、被稱為M.3的新尺寸標(biāo)準(zhǔn)為30.5x110.0x4.38mm;英特爾(Intel)則發(fā)表更長的新尺寸標(biāo)準(zhǔn)，命名為“ruler”。

此外，在本屆大會上幾乎所有主要供應(yīng)商均談?wù)摰胶喕疐lash儲存系統(tǒng)軟件的必要性，以減少應(yīng)用在資料中心領(lǐng)域形成的延遲問題，不過也有不少業(yè)者提出明顯不同的方法，如三星提出一個有助減少延遲問題的全新儲存軟件技術(shù)，稱為“key-value”方法，不過三星也承認(rèn)將需要多年時間為其重寫現(xiàn)有應(yīng)用程式(App)。

西數(shù)(WD)技術(shù)長MartinFink認(rèn)為，絕大多數(shù)資料中心Flash儲存裝置的延遲問題不是起因于芯片本身，而是來自于系統(tǒng)級軟件的復(fù)雜堆疊，因此西數(shù)正投入更多時間資源在尋找合適的硬件與軟件組合。

至于硬盤在本屆大會上被提到的次數(shù)甚少，甚至西數(shù)及希捷(Seagate)兩大硬盤廠也很少提及硬盤產(chǎn)品，僅希捷提到未來幾年所有資料中心零組件采購對硬盤的支出比重，將從15%降至5%。美光則稱在資料中心領(lǐng)域Flash已取代高端硬盤，但在每單元4位元芯片可能在2018年稍晚問世前，硬盤在資料中心市場仍具沉默的龐大影響力。

有鑒于3DNAND帶動的存儲器技術(shù)成長性，半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商LamResearch調(diào)升對未來5年全球NAND資本支出規(guī)模預(yù)估，從500億美元調(diào)升至700億美元，此預(yù)估值是基于預(yù)期未來5年NANDFlash可達(dá)40%位元成長率進(jìn)行估算。

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