從今年上半年形勢(shì)來(lái)看，存儲(chǔ)器迎來(lái)產(chǎn)業(yè)循環(huán)，供給減少加上需求看增，使得此波供需緊張的狀況持續(xù)。而卻為國(guó)產(chǎn)化提供了契機(jī)，企業(yè)應(yīng)該抓住機(jī)遇實(shí)現(xiàn)自主化生產(chǎn)，存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)化就成為了重要一步。

隨著芯片朝著更小尺寸的工藝節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)，此前相對(duì)不引人注目而現(xiàn)在變得愈發(fā)顯眼的一個(gè)半導(dǎo)體細(xì)分市場(chǎng)就是存儲(chǔ)器。近年來(lái)，隨著移動(dòng)通信、物聯(lián)網(wǎng)、智能制造等領(lǐng)域的快速發(fā)展，存儲(chǔ)器產(chǎn)品的應(yīng)用市場(chǎng)也隨之逐步開(kāi)拓，市場(chǎng)需求越來(lái)越大。

從今年上半年形勢(shì)來(lái)看，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)迎來(lái)產(chǎn)業(yè)循環(huán)，供給減少加上需求看增，使得此波供需緊張的狀況持續(xù)。如NANDFlash主力應(yīng)用為智能型手機(jī)，在第2季時(shí)價(jià)格漲幅約有1成。

如今進(jìn)入2017年第3季中期，傳統(tǒng)手機(jī)市場(chǎng)旺季，此一趨勢(shì)可望保持下去。目前國(guó)際大廠面臨2D轉(zhuǎn)3DNAND的產(chǎn)能青黃不接狀態(tài)，供不應(yīng)求是可以預(yù)見(jiàn)的狀況，估計(jì)2018年等到國(guó)際大廠在3DNAND產(chǎn)能轉(zhuǎn)換漸漸穩(wěn)定后，NANDFlash價(jià)格才有機(jī)會(huì)回穩(wěn)。

其中作為存儲(chǔ)器包括DRAM、儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NANDFlash)、編碼型快閃存儲(chǔ)器(NORFlash)供需仍緊，代理通路業(yè)者頻頻釋出第3季甚至第4季業(yè)績(jī)表現(xiàn)都可能優(yōu)于預(yù)期的說(shuō)法，大致上第3季存儲(chǔ)器漲價(jià)趨勢(shì)不變，第4季供需有機(jī)會(huì)回復(fù)正常，但整體存儲(chǔ)器需求仍是強(qiáng)強(qiáng)滾。

換言之，存儲(chǔ)器作為智能手機(jī)，電腦，智能手表等終端產(chǎn)品必不可少的元器件之一，它的缺貨將會(huì)導(dǎo)致整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)失衡，終端產(chǎn)品也將面臨著無(wú)貨可用的尷尬。加之下半年又是終端產(chǎn)品上市的高峰期，對(duì)于核心元器件的需求將會(huì)更加凸顯?？梢灶A(yù)見(jiàn)，具有話語(yǔ)權(quán)的行業(yè)代表企業(yè)將首先獲得產(chǎn)能配額，小品牌可能面臨產(chǎn)品延期的窘境。

在這一市場(chǎng)機(jī)遇下，國(guó)內(nèi)廠商又該如何把握呢？事實(shí)上，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)一直面臨著被三星、SK海力士、美光、東芝等國(guó)際存儲(chǔ)器巨頭所壟斷的局面，雖然國(guó)內(nèi)政府與企業(yè)不斷加大對(duì)存儲(chǔ)器產(chǎn)品設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的重視程度，但是由于國(guó)內(nèi)技術(shù)的限制，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器的發(fā)展一直比較緩慢。

數(shù)據(jù)顯示，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模近2000億元，占整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模的27%，晶圓產(chǎn)能和資本支出占比近1/3，但是我國(guó)存儲(chǔ)器幾乎完全依賴進(jìn)口供給，存儲(chǔ)器已經(jīng)成為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受國(guó)外制約最嚴(yán)重的產(chǎn)品之一。

如今市場(chǎng)上存儲(chǔ)器產(chǎn)品的供不應(yīng)求卻為國(guó)產(chǎn)化提供了契機(jī)，企業(yè)應(yīng)該抓住機(jī)遇實(shí)現(xiàn)自主化生產(chǎn)，從而擺脫進(jìn)口的依賴，提升競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力，而存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)化也就成為了我國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展戰(zhàn)略中的重要一步。

為此，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)在砥礪中前行。今年年初，中芯國(guó)際正式出樣40nm工藝的ReRAM(非易失性阻變式存儲(chǔ)器)芯片，此類芯片密度比DRAM內(nèi)存高40倍，讀取速度快100倍，寫入速度快1000倍，且性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于DRAM。與此同時(shí)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)、福建晉華、合肥長(zhǎng)鑫等企業(yè)也不甘示弱，紛紛緊鑼密鼓地建設(shè)存儲(chǔ)器芯片廠，預(yù)計(jì)最快的明年便能投產(chǎn)。

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