旨在加快450mm晶圓廠的發(fā)展，International Sematech（國(guó)際半導(dǎo)體制造聯(lián)盟）和其它組織為450mm硅晶圓制定了一個(gè)初步標(biāo)準(zhǔn)。 但在目前IC產(chǎn)業(yè)蕭條和經(jīng)濟(jì)危機(jī)環(huán)境下，450mm晶圓時(shí)代的來(lái)臨可能被推遲。 其間，在經(jīng)歷幾個(gè)競(jìng)爭(zhēng)的提議后，Sematech、SEMI和IC行業(yè)為450mm硅晶圓達(dá)成了一個(gè)925μm±25μm的晶圓厚度標(biāo)準(zhǔn)，它又被稱為“機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)”。該“機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)”是個(gè)早期和初步標(biāo)準(zhǔn)。相比而言，300mm晶圓的總厚是775μm。 標(biāo)準(zhǔn)是450mm晶圓的關(guān)鍵。這將促進(jìn)450mm晶圓廠所用的初期晶圓處理和其它系統(tǒng)的發(fā)展，英特爾的首席材料工程師Michael Goldstein說(shuō)。英特爾是推動(dòng)450mm晶圓的Sematech的成員之一。 業(yè)界計(jì)劃在11月采取下一步行動(dòng)，屆時(shí)將投票表決一個(gè)用于450mm晶圓的“測(cè)試晶圓厚度”標(biāo)準(zhǔn)，但925μm似乎就是擬取值。在下一個(gè)提議時(shí)，“我們不希望與925μm這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)出入太大?！盙oldstein說(shuō)。 業(yè)界以后必然要為450mm基板訂立“晶圓制造厚度”規(guī)范。但那也許要到2010或2011年。 為躍進(jìn)到450mm時(shí)代，Sematech去年發(fā)布了一個(gè)計(jì)劃，稱將研發(fā)一種稱為“工廠集成測(cè)試床”的設(shè)備以用于450mm晶圓廠工具的開(kāi)發(fā)。 Sematech宣稱的這種設(shè)備將有助于促進(jìn)芯片設(shè)備制造商開(kāi)發(fā)最初的諸如運(yùn)載系統(tǒng)、裝載端口和模塊等晶圓廠自動(dòng)化設(shè)備。 提議的450mm工具間距規(guī)范是10mm。但本周，預(yù)計(jì)Sematech會(huì)提出9.2mm的間距規(guī)范和0.353的晶圓偏垂（deflective sag）值。而Sematech去年提議的間距規(guī)范是9.4mm、晶圓偏垂值為0.613。 450mm晶圓重330克，該重量可能導(dǎo)致基板在晶圓處理系統(tǒng)中發(fā)生彎曲或下垂。解決關(guān)鍵是使基板和處理系統(tǒng)足夠強(qiáng)健以抵消下垂效應(yīng)。 但450mm晶圓廠究竟何時(shí)問(wèn)世仍有疑問(wèn)。據(jù)報(bào)，英特爾、三星和臺(tái)積電（TSMC）都各自力推擬在2012年前后建成的450mm“原型”晶圓廠。但也有人認(rèn)為450mm晶圓廠永遠(yuǎn)不會(huì)實(shí)現(xiàn)，因?yàn)檠邪l(fā)費(fèi)用實(shí)在太高。 即使450mm晶圓真的出現(xiàn)了，其時(shí)間也會(huì)在2017至2019年間，屆時(shí)，首座量產(chǎn)晶圓廠可能會(huì)采用8nm或5nm節(jié)點(diǎn)工藝，Gartner的分析師Dean Freeman最近在一項(xiàng)活動(dòng)中表示。Freeman估計(jì)，總計(jì)大概要花費(fèi)200億至400億美元，下一代450mm晶圓才會(huì)問(wèn)世。 另一項(xiàng)推進(jìn)450mm晶圓進(jìn)程的舉措，在來(lái)自Sematech最近公布的兩個(gè)下一代晶圓廠計(jì)劃：300mmPrime和國(guó)際半導(dǎo)體制造技術(shù)產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（ISMI）的ISMI 450mm項(xiàng)目。 300mmPrime獲得了晶圓廠用工具社群的廣泛支持，300mmPrime看起來(lái)會(huì)提升現(xiàn)有300mm晶圓廠的效率、進(jìn)而拉動(dòng)對(duì)450mm晶圓廠的需求。 更新更有爭(zhēng)議的ISMI 450mm計(jì)劃則呼吁某些芯片廠商更直接地從300mm轉(zhuǎn)移到更大的450mm晶圓尺寸。