近年來(lái)內(nèi)存大戰(zhàn)一直未曾停息，今年的內(nèi)存上漲的價(jià)格也是屢創(chuàng)歷史新高。為此，許多的內(nèi)存廠商都準(zhǔn)備擴(kuò)產(chǎn)NAND閃存規(guī)模。三星就是最激進(jìn)的一個(gè)，在在3DNAND閃存市場(chǎng)的巨額投資下，三星的開(kāi)支計(jì)劃變得更加兇猛。

預(yù)計(jì)三星今年的資本支出將達(dá)到260億美元，超過(guò)英特爾和臺(tái)積電的總和。

ICInsights已經(jīng)修改了半導(dǎo)體行業(yè)的資本支出預(yù)估，本月底將會(huì)發(fā)布新的報(bào)告。ICInsights最新的預(yù)測(cè)顯示，今年半導(dǎo)體行業(yè)資本支出增長(zhǎng)35％，達(dá)到908億美元。

去年，三星在半導(dǎo)體行業(yè)的資本支出為113億美元，預(yù)計(jì)2017年該業(yè)務(wù)支出將翻一番達(dá)到260億美元。ICInsights總裁BillMcClean表示：“在我關(guān)注半導(dǎo)體行業(yè)的37年里，從沒(méi)見(jiàn)過(guò)今年如此猛烈的半導(dǎo)體資本支出增長(zhǎng)勢(shì)頭。今年三星在半導(dǎo)體行業(yè)的巨額開(kāi)支是史無(wú)前例的?！?/P>

顯示了自2010年以來(lái)三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的資本投入情況，這一年也是該公司第一次在半導(dǎo)體資本支出上超過(guò)100億美元。在2016年投入113億美元之后，預(yù)計(jì)今年的資本支出激增比例讓人驚訝。

三星的開(kāi)支計(jì)劃到底有多么兇猛？ICInsights預(yù)計(jì)，三星2017年第四季度的半導(dǎo)體資本支出為86億美元，將占到整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的33%（整個(gè)行業(yè)第四季度支出預(yù)計(jì)達(dá)到262億美元）。同時(shí)，三星在第四季度的半導(dǎo)體銷售額占整個(gè)行業(yè)的16%左右。

ICInsight預(yù)估的三星今年260億美元半導(dǎo)體資本支出分為以下幾個(gè)部分：

3DNANDflash：140億美元（包括在平澤工廠的產(chǎn)能大幅增長(zhǎng)）

DRAM：70億美元（為了彌補(bǔ)因遷移而造成的產(chǎn)能損失）

代工/其他：50億美元（用于提升10納米制程能力）

ICInsights認(rèn)為，今年三星的巨額支出將對(duì)未來(lái)產(chǎn)生很大影響，3DNAND閃存市場(chǎng)可能會(huì)出現(xiàn)產(chǎn)能過(guò)剩情況，這種產(chǎn)能過(guò)剩一方面是因?yàn)槿窃?DNAND閃存市場(chǎng)的巨額投資，另一方面如SK海力士、美光、東芝、英特爾等公司對(duì)這一細(xì)分市場(chǎng)的投資激增導(dǎo)致。從某種程度上來(lái)說(shuō)，三星的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手必須提高產(chǎn)能否則將失去部分市場(chǎng)份額。

三星的投資熱預(yù)計(jì)也成為中國(guó)3DNAND閃存或DRAM相關(guān)企業(yè)的噩夢(mèng)，此前ICInsights一直對(duì)中國(guó)初創(chuàng)企業(yè)對(duì)抗諸如三星、SK海力士、美光的3DNAND和DRAM技術(shù)持懷疑態(tài)度。如今三星在資本支出上的瘋狂成了自己市場(chǎng)地位的保證，如果中國(guó)企業(yè)不能和現(xiàn)有的大型存儲(chǔ)進(jìn)行合作，那么未來(lái)很難有更強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。