曾經(jīng)，先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝是Intel最為自豪的地方，也是它的制勝法寶，如今臺(tái)積電、三星兩家卻銜枚疾進(jìn)、你追我趕。在4nm大戰(zhàn)，三星搶先導(dǎo)入將EUV，研發(fā)GAAFET。
晶圓代工之戰(zhàn)，7nm制程預(yù)料由臺(tái)積電勝出，4nm之戰(zhàn)仍在激烈廝殺。AndroidAuthority報(bào)道稱，三星電子搶先使用極紫外光（EUV）微影設(shè)備，又投入研發(fā)能取代「鰭式場效晶體管」（FinFET）的新技術(shù)，目前看來似乎較占上風(fēng)。
AndroidAuthority報(bào)導(dǎo)，制程不斷微縮，傳統(tǒng)微影技術(shù)來到極限，無法解決更精密的曝光顯像需求，必須改用波長更短的EUV，才能準(zhǔn)確刻蝕電路圖。5nm以下制程，EUV是必備工具。三星明年生產(chǎn)7nm時(shí)，就會(huì)率先采用EUV，這有如讓三星在6nm以下的競賽搶先起跑，可望加快發(fā)展速度。
相較之下，臺(tái)積電和格羅方德的第一代7nm制程，仍會(huì)使用傳統(tǒng)的浸潤式微影技術(shù)，第二代才會(huì)使用EUV。
制程微縮除了需擁抱EUV，也需開發(fā)FinFET技術(shù)接班人。晶體管運(yùn)作是靠閘極（gate）控制電流是否能夠通過，不過芯片越做越小，電流信道寬度不斷變窄，難以控制電流方向，未來FinFET恐怕不敷使用，不少人認(rèn)為「閘極全環(huán)場效晶體管」（Gate-all-aroundFET，GAAFET）是最佳解決方案。
今年稍早，三星、格芯和IBM攜手，發(fā)布全球首見的5nm晶圓技術(shù)，采用EUV和GAAFET技術(shù)。三星路徑圖也估計(jì)，F(xiàn)inFET難以在5nm之后使用，4nm將采用GAAFET。盡管晶圓代工研發(fā)不易，容易遇上挫折延誤，不過目前看來三星進(jìn)度最快。該公司的展望顯示，計(jì)劃最快在2020年生產(chǎn)4nm，進(jìn)度超乎同業(yè)，也許有望勝出。
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