據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電南京工廠將會(huì)在明年5月提前量產(chǎn)30mm晶圓，據(jù)悉，臺(tái)積電會(huì)引進(jìn)16nmFinFET制造工藝，僅次于10nmFinFET，并在南京設(shè)立一個(gè)設(shè)計(jì)服務(wù)中心來吸引客戶訂單。
據(jù)臺(tái)積電聯(lián)席CEO劉德音（MarkLiu）披露，臺(tái)積電位于南京的300mm晶圓廠將于2018年5月份投入量產(chǎn)，比原計(jì)劃的2018年下半年提前了一個(gè)季度還要多。
臺(tái)積電南京晶圓廠于2016年7月份破土動(dòng)工，2017年9月份開始設(shè)備安裝，將會(huì)引入16nmFinFET制造工藝，并在南京設(shè)立一個(gè)設(shè)計(jì)服務(wù)中心來吸引客戶訂單。
這是臺(tái)積電目前已量產(chǎn)的第二高級(jí)的工藝，僅次于10nmFinFET——按照相關(guān)政策，最先進(jìn)的工藝是不允許引入內(nèi)地的。
即便如此，這也將成為內(nèi)地最先進(jìn)的工藝——目前內(nèi)地最好的還是28nm，最流行的依然是40/45nm。
劉德音還表示，除了高性能計(jì)算、IoT物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、移動(dòng)設(shè)備，臺(tái)積電未來還會(huì)專注于AI人工智能、5G設(shè)備平臺(tái)，并且正與大量客戶密切溝通，計(jì)劃用12nm、10nm、7nm工藝制造AI和機(jī)器學(xué)習(xí)芯片。
使用新的7nm工藝，臺(tái)積電還為40多家客戶研發(fā)了5G相關(guān)新品，將于2018年量產(chǎn)。
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