在內(nèi)存市場上三星已經(jīng)占據(jù)了大半的江山，據(jù)悉，明年三星還將繼續(xù)在生產(chǎn)方面的資本支出預(yù)算提到1.5倍，是想進一步壟斷DRAM和NAND閃存市場，可以說這是一場260億美元的豪賭。
據(jù)外媒報道，經(jīng)過50年的發(fā)展，半導(dǎo)體市場仍然顯得非?；钴S，它在今年有望增長20%。隨著高增長而來的是供應(yīng)短缺，這就是DRAM和閃存價格為什么今年會上漲的原因。
三星在DRAM和閃存市場占有半壁江山。它計劃明年將其在生產(chǎn)方面的資本支出預(yù)算提到1.5倍，提高至260億美元。相對而言，英特爾在2017年的資本支出預(yù)算僅為120億美元，較2016年增長了25%。事實上，三星的預(yù)算約為2017年三家大公司英特爾、臺積電和SK海力士的資本支出預(yù)算的總和。
三星的主要競爭對手現(xiàn)在面臨著一個艱難的抉擇。它們要么提高資本支出預(yù)算，保障足夠的供應(yīng)量，從而保有自己的市場份額，要么干脆放棄競爭，因為三星更高的產(chǎn)能將會產(chǎn)生別人難以企及的規(guī)模經(jīng)濟效應(yīng)。
任何想要追趕三星的公司都面臨著整個行業(yè)供給過剩、價格下滑以及虧損擴大的問題。半導(dǎo)體工廠必須全負荷運行，才能維持最低的成本，只要價格能夠支付各種可變開支和固定成本，那就值得繼續(xù)維持工廠運轉(zhuǎn)。
但是，如果它們不增加預(yù)算，提高產(chǎn)能，那么它們就可能面臨市場份額萎縮、成本增加并最終被淘汰出局的后果。不要指望英特爾和鎂光的合資企業(yè)能夠?qū)谷?。英特爾幾十年前就退出了DRAM業(yè)務(wù)。
英特爾和鎂光依靠其3DXPointNVRAM（非易失性閃存）可能能夠在DRAM和閃存市場上占有一席之地。但是，這一希望注定落空，因為它們決定將3DXPoint捆綁到英特爾CPU上。此外，三星可以從Crossbar或Nantero公司那里購買或獲得授權(quán)使用與NVRAM競爭的技術(shù)。
對于消費者來說，一個利好的消息是：在未來12-18個月內(nèi)，我們應(yīng)該會看到更便宜的DRAM和NAND閃存出現(xiàn)。但是，從長遠來看我們可能會看到三星壟斷DRAM和NAND閃存生產(chǎn)，減緩價格下降速度以及遏制競爭
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